JAJSD42B February   2017  – December 2017 DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 デバイス比較表
  7. 7 ピン構成および機能
    1.     ピン機能rep%#8212;32ピンDRV8320デバイス
    2.     ピン機能rep%#8212;40ピンDRV8320Rデバイス
    3.     ピン機能rep%#8212;40ピンDRV8323デバイス
    4.     ピン機能rep%#8212;48ピンDRV8323Rデバイス
  8. 8 仕様
    1. 8.1 絶対最大定格
    2. 8.2 ESD定格
    3. 8.3 推奨動作条件
    4. 8.4 熱特性
    5. 8.5 電気的特性
    6. 8.6 SPIのタイミング要件
    7. 8.7 代表的特性
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 3相スマート・ゲート・ドライバ
        1. 9.3.1.1 PWM制御モード
          1. 9.3.1.1.1 6x PWMモード（PWM_MODE = 00bまたはMODEピンをAGNDに接続）
          2. 9.3.1.1.2 3x PWMモード（PWM_MODE = 01bまたはMODEピンを47kΩの抵抗を介してAGNDに接続）
          3. 9.3.1.1.3 1x PWMモード（PWM_MODE = 10bまたはMODEピン = Hi-Z）
          4. 9.3.1.1.4 独立PWMモード（PWM_MODE = 11bまたはMODEピンをDVDDに接続）
        2. 9.3.1.2 デバイス・インターフェイス・モード
          1. 9.3.1.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス（SPI）
          2. 9.3.1.2.2 ハードウェア・インターフェイス
        3. 9.3.1.3 ゲート・ドライバ電源電圧
        4. 9.3.1.4 スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
          1. 9.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFETスルー・レート制御
          2. 9.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFETゲート駆動制御
          3. 9.3.1.4.3 伝搬遅延
          4. 9.3.1.4.4 MOSFET VDS監視
          5. 9.3.1.4.5 VDRAINセンス・ピン
      2. 9.3.2 DVDDリニア電圧レギュレータ
      3. 9.3.3 ピン配置
      4. 9.3.4 ローサイド電流センス・アンプ（DRV8323とDRV8323Rのみ）
        1. 9.3.4.1 双方向電流センスの動作
        2. 9.3.4.2 単方向電流センスの動作（SPIのみ）
        3. 9.3.4.3 自動オフセット較正
        4. 9.3.4.4 MOSFET VDSセンス・モード（SPIのみ）
      5. 9.3.5 降圧型レギュレータ
        1. 9.3.5.1 固定周波数PWM制御
        2. 9.3.5.2 ブートストラップ電圧（CB）
        3. 9.3.5.3 出力電圧設定
        4. 9.3.5.4 nSHDNおよびVIN低電圧誤動作防止のイネーブル
        5. 9.3.5.5 電流制限
        6. 9.3.5.6 過電圧過渡保護
        7. 9.3.5.7 サーマル・シャットダウン
      6. 9.3.6 ゲート・ドライバ保護回路
        1. 9.3.6.1 VM電源の低電圧誤動作防止（UVLO）
        2. 9.3.6.2 VCPチャージ・ポンプの低電圧誤動作防止（CPUV）
        3. 9.3.6.3 MOSFET VDS過電流保護（VDS_OCP）
          1. 9.3.6.3.1 VDSラッチ・シャットダウン（OCP_MODE = 00b）
          2. 9.3.6.3.2 VDS自動リトライ（OCP_MODE = 01b）
          3. 9.3.6.3.3 VDS通知のみ（OCP_MODE = 10b）
          4. 9.3.6.3.4 VDSディスエーブル（OCP_MODE = 11b）
        4. 9.3.6.4 VSENSE過電流保護（SEN_OCP）
          1. 9.3.6.4.1 VSENSEラッチ・シャットダウン（OCP_MODE = 00b）
          2. 9.3.6.4.2 VSENSE自動リトライ（OCP_MODE = 01b）
          3. 9.3.6.4.3 VSENSE通知のみ（OCP_MODE = 10b）
          4. 9.3.6.4.4 VSENSEディスエーブル（OCP_MODE = 11bまたはDIS_SEN = 1b）
        5. 9.3.6.5 ゲート・ドライバ障害（GDF）
        6. 9.3.6.6 過熱警告（OTW）
        7. 9.3.6.7 サーマル・シャットダウン（OTSD）
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 ゲート・ドライバの機能モード
        1. 9.4.1.1 スリープ・モード
        2. 9.4.1.2 動作モード
        3. 9.4.1.3 障害リセット（CLR_FLTまたはENABLEリセット・パルス）
      2. 9.4.2 降圧レギュレータの機能モード
        1. 9.4.2.1 連続導通モード（CCM）
        2. 9.4.2.2 Eco-mode制御方式
    5. 9.5 プログラミング
      1. 9.5.1 SPI通信
        1. 9.5.1.1 SPI
          1. 9.5.1.1.1 SPIフォーマット
    6. 9.6 レジスタ・マップ
      1. Table 1. DRV832xSおよびDRV832xRSのレジスタ・マップ
      2. 9.6.1    ステータス・レジスタ
        1. 9.6.1.1 障害ステータス・レジスタ1（アドレス = 0x00）
          1. Table 11. 障害ステータス・レジスタ1のフィールド説明
        2. 9.6.1.2 障害ステータス・レジスタ2（アドレス = 0x01）
          1. Table 12. 障害ステータス・レジスタ2のフィールド説明
      3. 9.6.2    制御レジスタ
        1. 9.6.2.1 ドライバ制御レジスタ（アドレス = 0x02）
          1. Table 14. ドライバ制御のフィールド説明
        2. 9.6.2.2 ゲート駆動HSレジスタ（アドレス = 0x03）
          1. Table 15. ゲート駆動HSのフィールド説明
        3. 9.6.2.3 ゲート駆動LSレジスタ（アドレス = 0x04）
          1. Table 16. ゲート駆動LSレジスタのフィールド説明
        4. 9.6.2.4 OCP制御レジスタ（アドレス = 0x05）
          1. Table 17. OCP制御のフィールド説明
        5. 9.6.2.5 CSA制御レジスタ（DRV8323xのみ）（アドレス = 0x06）
          1. Table 18. CSA制御のフィールド説明
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 主要アプリケーション
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 10.2.1.2.1 外部MOSFETのサポート
            1. 10.2.1.2.1.1 例
          2. 10.2.1.2.2 IDRIVEの設定
            1. 10.2.1.2.2.1 例
          3. 10.2.1.2.3 VDS過電流監視の設定
            1. 10.2.1.2.3.1 例
          4. 10.2.1.2.4 センス・アンプの双方向設定（DRV8323およびDRV8323R）
            1. 10.2.1.2.4.1 例
          5. 10.2.1.2.5 降圧レギュレータの設定（DRV8320RおよびDRV8323R）
        3. 10.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 10.2.2 代替アプリケーション
        1. 10.2.2.1 設計要件
        2. 10.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 10.2.2.2.1 センス・アンプの単方向設定
            1. 10.2.2.2.1.1 例
  11. 11電源に関する推奨事項
    1. 11.1 バルク容量の決定
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 降圧レギュレータのレイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイス・サポート
      1. 13.1.1 デバイスの項目表記
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 関連リンク
    4. 13.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 13.5 コミュニティ・リソース
    6. 13.6 商標
    7. 13.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 13.8 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12.1 レイアウトのガイドライン

推奨値0.1µFの低ESRセラミック・バイパス・コンデンサを使用して、VMピンをPGNDピンにバイパスします。このコンデンサは、幅の広いパターン、またはPGNDピンに接続されたグランド・プレーンを使用して、VMピンのできるだけ近くに配置してください。また、VMピンは、VMの定格を持つバルク・コンデンサを使用してバイパスします。これには電解コンデンサを使用できます。容量は10µF以上としてください。

外部MOSFET上の高電流パスをバイパスするために、追加のバルク容量が必要です。このバルク容量は、外部MOSFETを通過する高電流パスの長さが最小となるよう配置する必要があります。接続用の金属パターンはできる限り幅広くし、PCBの層間を多数のビアで接続します。これらの手法により、インダクタンスが最小限に抑えられ、バルク・コンデンサが高電流を伝達できるようになります。

CPLピンとCPHピンの間に低ESRのセラミック・コンデンサを配置します。これには、VMの定格を持つ47nFのタイプX5RまたはX7Rコンデンサを使用する必要があります。また、VCPピンとVMピンの間にも低ESRのセラミック・コンデンサを配置します。これには、16Vの定格を持つ1µFのタイプX5RまたはX7Rコンデンサを使用する必要があります。

タイプX5RまたはX7Rで6.3Vの定格を持つ1µFの低ESRセラミック・コンデンサを使用して、DVDDピンをAGNDピンにバイパスします。このコンデンサはピンにできる限り近づけて配置し、コンデンサからAGNDピンまでのパスを最短にします。

VDRAINピンは、直接VMピンに短絡することができます。ただし、デバイスと外部MOSFETの間が大きく離れている場合は、専用のパターンを使用して、ハイサイド外部MOSFETのドレインの共通ポイントに接続します。SLxピンは直接PGNDには接続しないでください。その代わりに、専用のパターンを使用して、これらのピンをローサイド外部MOSFETのソースに接続します。これらの推奨事項に従うことで、過電流検出のために外部MOSFETのVDSセンシングをより正確に行うことができます。

ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバのループ長はできるだけ短くします。ハイサイド・ループはデバイスのGHxピンからハイサイド・パワーMOSFETのゲートまでであり、その後ハイサイドMOSFETのソースを通ってSHxピンへと戻ります。ローサイド・ループはデバイスのGLxピンからローサイド・パワーMOSFETのゲートまでであり、その後ローサイドMOSFETのソースを通ってPGNDピンへと戻ります。