JAJSOU0A
June 2022 – October 2022
DRV8329
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Device Comparison Table
6
Pin Configuration and Functions
7
Specification
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings Comm
7.3
Recommended Operating Conditions
7.4
Thermal Information 1pkg
7.5
Electrical Characteristics
7.6
Typical Characteristics
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Three BLDC Gate Drivers
8.3.1.1
PWM Control Modes
8.3.1.1.1
6x PWM Mode
8.3.1.1.2
3x PWM Mode
8.3.1.2
Device Hardware Interface
8.3.1.3
Gate Drive Architecture
8.3.1.3.1
Propagation Delay
8.3.1.3.2
Deadtime and Cross-Conduction Prevention
8.3.2
AVDD Linear Voltage Regulator
8.3.3
Pin Diagrams
8.3.4
Low-Side Current Sense Amplifiers
8.3.4.1
Current Sense Operation
8.3.5
Gate Driver Shutdown Sequence (DRVOFF)
8.3.6
Gate Driver Protective Circuits
8.3.6.1
PVDD Supply Undervoltage Lockout (PVDD_UV)
8.3.6.2
AVDD Power on Reset (AVDD_POR)
8.3.6.3
GVDD Undervoltage Lockout (GVDD_UV)
8.3.6.4
BST Undervoltage Lockout (BST_UV)
8.3.6.5
MOSFET VDS Overcurrent Protection (VDS_OCP)
8.3.6.6
VSENSE Overcurrent Protection (SEN_OCP)
8.3.6.7
Thermal Shutdown (OTSD)
8.4
Device Functional Modes
8.4.1
Gate Driver Functional Modes
8.4.1.1
Sleep Mode
8.4.1.2
Operating Mode
8.4.1.3
Fault Reset (nSLEEP Reset Pulse)
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Three Phase Brushless-DC Motor Control
9.2.1.1
Detailed Design Procedure
9.2.1.1.1
Motor Voltage
9.2.1.1.2
Bootstrap Capacitor and GVDD Capacitor Selection
9.2.1.1.3
Gate Drive Current
9.2.1.1.4
Gate Resistor Selection
9.2.1.1.5
System Considerations in High Power Designs
9.2.1.1.5.1
Capacitor Voltage Ratings
9.2.1.1.5.2
External Power Stage Components
9.2.1.1.5.3
Parallel MOSFET Configuration
9.2.1.1.6
Dead Time Resistor Selection
9.2.1.1.7
VDSLVL Selection
9.2.1.1.8
AVDD Power Losses
9.2.1.1.9
Current Sensing and Output Filtering
9.2.1.1.10
Power Dissipation and Junction Temperature Losses
9.2.2
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
10.1
Bulk Capacitance Sizing
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
11.3
Thermal Considerations
11.3.1
Power Dissipation
12
Device and Documentation Support
12.1
Device Support
12.1.1
Device Nomenclature
12.2
Documentation Support
12.2.1
Related Documentation
12.3
Related Links
12.4
Receiving Notification of Documentation Updates
12.5
Community Resources
12.6
Trademarks
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
13.1
Tape and Reel Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
REE|36
MPQF647
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsou0a_oa
1
特長
65V 三相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
3 つのハイサイドおよび 3 つのローサイドの N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
4.5~60V の動作電圧範囲
トリクル・チャージ・ポンプにより 100% の PWM デューティ・サイクルをサポート
ブートストラップ・ベースのゲート・ドライバ・アーキテクチャ
最大ピーク・ソース電流:1000mA
最大ピーク・シンク電流:2000mA
低入力オフセット (1 シャント用に最適化) の電流センス・アンプを内蔵
可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
ハードウェア・インターフェイスにより構成が容易
超低消費電力スリープ・モード:25℃で 1µA 未満
複数の相間で 4ns (標準値) の伝搬遅延マッチング
独立したドライバ・シャットダウン・パス (DRVOFF)
65V 許容のウェイク・ピン (nSLEEP)
SHx で -10V までの負の過渡電圧をサポート
6x および 3x PWM モード
3.3V と 5V のロジック入力電圧をサポート
高精度 LDO (AVDD)、3.3V ±3%、80mA
小型で占有面積の小さい QFN パッケージ
VDSLVL ピンにより VDS 過電流スレッショルドを調整可能
DT ピンによりデッドタイムを調整可能
パワー・ブロック
による効率的なシステム設計
内蔵保護機能
PVDD 低電圧誤動作防止 (PVDDUV)
GVDD 低電圧 (GVDDUV)
ブートストラップ低電圧 (BST_UV)
過電流保護 (VDS_OCP、SEN_OCP)
サーマル・シャットダウン (OTSD)
フォルト状態インジケータ (nFAULT)