JAJSJP6B August   2018  – August 2021 DRV8350F , DRV8353F

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成と機能
    1.     ピン機能 — 32 ピン DRV8350F デバイス
    2.     8
    3.     ピン機能 — 40 ピン DRV8353F デバイス
    4.     10
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 SPI のタイミング要件
    7. 7.7 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 3 相スマート・ゲート・ドライバ
        1. 8.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM モード (PWM_MODE = 00b または MODE ピンを AGND に接続)
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM モード (PWM_MODE = 01b または MODE ピンを 47kΩ の抵抗を介して AGND に接続)
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM モード (PWM_MODE = 10b または MODE ピン = Hi-Z)
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM モード (PWM_MODE = 11b または MODE ピンを DVDD に接続)
        2. 8.3.1.2 デバイス・インターフェイス・モード
          1. 8.3.1.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 ハードウェア・インターフェイス
        3. 8.3.1.3 ゲート・ドライバ電源と入力電源の構成
        4. 8.3.1.4 スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET スルーレート制御
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET ゲート駆動制御
          3. 8.3.1.4.3 伝搬遅延
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 監視
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 検出および基準電圧ピン
      2. 8.3.2 DVDD リニア電圧レギュレータ
      3. 8.3.3 ピン構造図
      4. 8.3.4 ローサイド電流シャント・アンプ (DRV8353F)
        1. 8.3.4.1 双方向電流検出の動作
        2. 8.3.4.2 単方向電流検出の動作 (SPI のみ)
        3. 8.3.4.3 アンプの較正モード
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 検出モード (SPI のみ)
      5. 8.3.5 ゲート・ドライバ保護回路
        1. 8.3.5.1 VM 電源および VDRAIN 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.5.2 VCP チャージ・ポンプと VGLS レギュレータの低電圧誤動作防止 (GDUV)
        3. 8.3.5.3 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
          1. 8.3.5.3.1 VDS ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.3.2 VDS 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.3.3 VDS 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.3.4 VDS ディスエーブル (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.5.4 VSENSE 過電流保護 (SEN_OCP)
          1. 8.3.5.4.1 VSENSE ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.4.2 VSENSE 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.4.3 VSENSE 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.4.4 VSENSE ディスエーブル (OCP_MODE = 11b または DIS_SEN = 1b)
        5. 8.3.5.5 ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
        6. 8.3.5.6 過電流ソフト・シャットダウン (OCP ソフト)
        7. 8.3.5.7 過熱警告 (OTW)
        8. 8.3.5.8 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        9. 8.3.5.9 フォルト応答表
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ゲート・ドライバの機能モード
        1. 8.4.1.1 スリープ・モード
        2. 8.4.1.2 動作モード
        3. 8.4.1.3 フォルト・リセット (CLR_FLT または ENABLE リセット・パルス)
    5. 8.5 プログラミング
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI フォーマット
    6. 8.6 レジスタ・マップ
      1. 8.6.1 ステータス・レジスタ
        1. 8.6.1.1 フォルト・ステータス・レジスタ 1 (アドレス = 0x00h)
        2. 8.6.1.2 フォルト・ステータス・レジスタ 2 (アドレス = 0x01h)
      2. 8.6.2 制御レジスタ
        1. 8.6.2.1 ドライバ制御レジスタ (アドレス = 0x02h)
        2. 8.6.2.2 ゲート駆動 HS レジスタ (アドレス = 0x03h)
        3. 8.6.2.3 ゲート駆動 LS レジスタ (アドレス = 0x04h)
        4. 8.6.2.4 OCP 制御レジスタ (アドレス = 0x05h)
        5. 8.6.2.5 CSA 制御レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x06h)
        6. 8.6.2.6 ドライバ構成レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x07h)
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 主要アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET のサポート
            1. 9.2.1.2.1.1 MOSFET の例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE の設定
            1. 9.2.1.2.2.1 IDRIVE の例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 過電流監視の設定
            1. 9.2.1.2.3.1 VDS 過電流の例
          4. 9.2.1.2.4 検出アンプの双方向設定 (DRV8353F)
            1. 9.2.1.2.4.1 検出アンプの例
          5. 9.2.1.2.5 シングル電源の消費電力
          6. 9.2.1.2.6 シングル電源の消費電力の例
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 代替アプリケーション
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 検出アンプの単方向設定
            1. 9.2.2.2.1.1 検出アンプの例
            2. 9.2.2.2.1.2 デュアル電源の消費電力
            3. 9.2.2.2.1.3 デュアル電源の消費電力の例
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量の決定
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトの注意点
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 デバイス命名規則
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 関連リンク
    4. 12.4 Receiving Notification of Documentation Updates
    5. 12.5 サポート・リソース
    6. 12.6 商標
    7. 12.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 12.8 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
9.2.1.2.6 シングル電源の消費電力の例

このアプリケーション例では、本デバイスはシングル電源で動作するように構成されています。この構成では、DRV835xF に必要な電源は 1 つのみで済みますが、内部消費電力が増加するというトレードオフがあります。以下の例で、接合部温度を推定します。

Equation5 を使って、「MOSFET ゲート電荷は 78nC、3 つのハイサイド MOSFET と 3 つのローサイド MOSFET がすべてがスイッチングする、スイッチング周波数は 45kHz」という条件で IVCP と IVGLS の値を計算します。

Equation25. IVCP/VGLS = 78nC × 3 × 45kHz = 10.5mA

Equation20、Equation21、Equation22、Equation23 を使って、「VVM = VVDRAIN = VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 10.5mA、IVGLS = 10.5mA」という条件で Ptot の値を計算します。

Equation26. PVCP = 10.5mA × (48V + 48V) = 1W
Equation27. PVGLS = 10.5mA × 48V = 0.5W
Equation28. PVM = 9.5mA × 48V = 0.5W
Equation29. Ptot = 1W + 0.5W + 0.5W = 2.0W

最後に、動作中の本デバイスの接合部温度を推定するため、Equation24 を使って TAmax = 60℃、RθJA = 26.1℃/W (RTA パッケージ)、Ptot = 2.054W の場合の TJmax の値を計算します。繰り返しますが、RθJA は実際のアプリケーションで使用される PCB 設計に大きく依存することと、RθJA を検証する必要があることに注意します。従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。

Equation30. TJmax = 60℃ + (26.1℃/W × 2.0W) = 112.2℃

この例に示すように、本デバイスは動作制限内にありますが、ほぼ最大動作接合部温度で動作しています。本デバイスの消費電力を適切に管理するため、シングル電源構成では設計に注意を払う必要があります。