JAJSJP6B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
MOSFET VDS または VSENSE 過電流フォルトが発生した場合、本ドライバは特別なシャットダウン・シーケンスを使用して高電圧スイッチング過渡からドライバと MOSFET を保護します。過電流イベント中など、大きなドレイン - ソース間電流が発生した場合、外付け MOSFET を素早くオフする際にこれらの大きな電圧過渡が発生する場合があります。
この問題を軽減するため、DRV835xF デバイス・ファミリでは、フォルト・イベントに応答して MOSFET がオフしている間、ハイサイドとローサイドの両方のゲート・ドライバの IDRIVEN プルダウン電流設定を低減しています。設定された IDRIVEN 値が 1100mA 未満の場合、IDRIVEN 値は最小 IDRIVEN 設定値に設定されます。設定された IDRIVEN 値が 1100mA 以上の場合、IDRIVEN 値は 7 つのコード設定に減らされます。