JAJSJP6B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
ゲート・ドライバには、外部パワー MOSFET での過電流状態や短絡状態を検出するために、調整可能な VDS 電圧監視が実装されています。監視対象の電圧が VDS トリップ・ポイント (VVDS_OCP) をデグリッチ時間 (tOCP) より長い時間にわたって上回った場合は、過電流状態が検出され、デバイスの VDS フォルト・モードに基づく処置が実行されます。
ハイサイド VDS 監視では VDRAIN ピンと SHx ピンの間の電圧が測定されます。3 つの電流シャント・アンプを備えたデバイス (DRV8353F) では、ローサイド VDS 監視によって SHx ピンと SPx ピン間の電圧が測定されます。電流シャント・アンプを使用していない場合は、SP ピンを外部ハーフブリッジの共通グランド・ポイントに接続してください。電流シャント・アンプのないデバイス (DRV8350F) では、ローサイド VDS 監視によって SHx ピンと SLx ピンの間の電圧が測定されます。
SPI デバイスの場合、LS_REF レジスタ設定を使用し、ローサイド VDS 監視の基準点を SPx ピンと SNx ピンの間で必要に応じて変更できます。これは、ローサイド VDS 監視のみにあてはまります。ハイサイド VDS 監視では VDRAIN ピンと SHx ピンの間の電圧が測定されます。
VVDS_OCP スレッショルドは、SPI デバイスでは 0.06V と 2V の間、ハードウェア・インターフェイス・デバイスでは 0.06V と 1V の間に設定できます。VDS 監視レベルの詳細については、SPI デバイスの場合はTopic Link Label8.6、ハードウェア・インターフェイス・デバイスの場合はTopic Link Label8.3.3 を参照してください。