JAJSJP6B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
このアプリケーション例では、本デバイスをデュアル電源で動作するように構成しています。デュアル電源動作では、ゲート・ドライバにより低い電源電圧を供給することで内部消費電力を低減できます。この電圧は、内蔵降圧レギュレータまたは外部電源から供給できます。以下の例で、接合部温度を推定します。
MOSFET ゲート電荷は 78nC、1 つのハイサイド MOSFET と 1 つのローサイド MOSFET が同時にスイッチング、スイッチング周波数は 20kHz として、Equation5 を使用して IVCP と IVGLS の値を計算します。
式 Equation36、Equation37、Equation38、Equation39 を使って VVM = 12V、VVDRAIN = 48V、VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 1.56mA、IVGLS = 1.56mA の場合の Ptot の値を計算します。
最後に、動作中の本デバイスの接合部温度を推定するため、Equation40 を使って TAmax = 105℃、RθJA = 26.1℃/W (RGZ パッケージ)、Ptot = 0.22W の場合の TJmax の値を計算します。繰り返しますが、RθJA は実際のアプリケーションで使用される PCB 設計に大きく依存することと、RθJA を検証する必要があることに注意します。従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。