JAJSJP6B August   2018  – August 2021 DRV8350F , DRV8353F

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成と機能
    1.     ピン機能 — 32 ピン DRV8350F デバイス
    2.     8
    3.     ピン機能 — 40 ピン DRV8353F デバイス
    4.     10
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 SPI のタイミング要件
    7. 7.7 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 3 相スマート・ゲート・ドライバ
        1. 8.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM モード (PWM_MODE = 00b または MODE ピンを AGND に接続)
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM モード (PWM_MODE = 01b または MODE ピンを 47kΩ の抵抗を介して AGND に接続)
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM モード (PWM_MODE = 10b または MODE ピン = Hi-Z)
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM モード (PWM_MODE = 11b または MODE ピンを DVDD に接続)
        2. 8.3.1.2 デバイス・インターフェイス・モード
          1. 8.3.1.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 ハードウェア・インターフェイス
        3. 8.3.1.3 ゲート・ドライバ電源と入力電源の構成
        4. 8.3.1.4 スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET スルーレート制御
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET ゲート駆動制御
          3. 8.3.1.4.3 伝搬遅延
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 監視
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 検出および基準電圧ピン
      2. 8.3.2 DVDD リニア電圧レギュレータ
      3. 8.3.3 ピン構造図
      4. 8.3.4 ローサイド電流シャント・アンプ (DRV8353F)
        1. 8.3.4.1 双方向電流検出の動作
        2. 8.3.4.2 単方向電流検出の動作 (SPI のみ)
        3. 8.3.4.3 アンプの較正モード
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 検出モード (SPI のみ)
      5. 8.3.5 ゲート・ドライバ保護回路
        1. 8.3.5.1 VM 電源および VDRAIN 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.5.2 VCP チャージ・ポンプと VGLS レギュレータの低電圧誤動作防止 (GDUV)
        3. 8.3.5.3 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
          1. 8.3.5.3.1 VDS ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.3.2 VDS 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.3.3 VDS 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.3.4 VDS ディスエーブル (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.5.4 VSENSE 過電流保護 (SEN_OCP)
          1. 8.3.5.4.1 VSENSE ラッチ・シャットダウン (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.4.2 VSENSE 自動リトライ (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.4.3 VSENSE 通知のみ (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.4.4 VSENSE ディスエーブル (OCP_MODE = 11b または DIS_SEN = 1b)
        5. 8.3.5.5 ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
        6. 8.3.5.6 過電流ソフト・シャットダウン (OCP ソフト)
        7. 8.3.5.7 過熱警告 (OTW)
        8. 8.3.5.8 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        9. 8.3.5.9 フォルト応答表
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ゲート・ドライバの機能モード
        1. 8.4.1.1 スリープ・モード
        2. 8.4.1.2 動作モード
        3. 8.4.1.3 フォルト・リセット (CLR_FLT または ENABLE リセット・パルス)
    5. 8.5 プログラミング
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI フォーマット
    6. 8.6 レジスタ・マップ
      1. 8.6.1 ステータス・レジスタ
        1. 8.6.1.1 フォルト・ステータス・レジスタ 1 (アドレス = 0x00h)
        2. 8.6.1.2 フォルト・ステータス・レジスタ 2 (アドレス = 0x01h)
      2. 8.6.2 制御レジスタ
        1. 8.6.2.1 ドライバ制御レジスタ (アドレス = 0x02h)
        2. 8.6.2.2 ゲート駆動 HS レジスタ (アドレス = 0x03h)
        3. 8.6.2.3 ゲート駆動 LS レジスタ (アドレス = 0x04h)
        4. 8.6.2.4 OCP 制御レジスタ (アドレス = 0x05h)
        5. 8.6.2.5 CSA 制御レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x06h)
        6. 8.6.2.6 ドライバ構成レジスタ (DRV8353F のみ) (アドレス = 0x07h)
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 主要アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET のサポート
            1. 9.2.1.2.1.1 MOSFET の例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE の設定
            1. 9.2.1.2.2.1 IDRIVE の例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 過電流監視の設定
            1. 9.2.1.2.3.1 VDS 過電流の例
          4. 9.2.1.2.4 検出アンプの双方向設定 (DRV8353F)
            1. 9.2.1.2.4.1 検出アンプの例
          5. 9.2.1.2.5 シングル電源の消費電力
          6. 9.2.1.2.6 シングル電源の消費電力の例
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 代替アプリケーション
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 検出アンプの単方向設定
            1. 9.2.2.2.1.1 検出アンプの例
            2. 9.2.2.2.1.2 デュアル電源の消費電力
            3. 9.2.2.2.1.3 デュアル電源の消費電力の例
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量の決定
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトの注意点
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 デバイス命名規則
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 関連リンク
    4. 12.4 Receiving Notification of Documentation Updates
    5. 12.5 サポート・リソース
    6. 12.6 商標
    7. 12.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 12.8 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1.3 ゲート・ドライバ電源と入力電源の構成

ハイサイド・ゲート駆動の電源電圧は、VM および VDRAIN 電源入力で動作するダブラー・チャージ・ポンプを使って生成されます。このチャージ・ポンプにより、ゲート・ドライバは幅広い入力電源電圧範囲にわたってハイサイド MOSFET のゲート - ソース間に適切な電圧を印加できます。チャージ・ポンプは、VVDRAIN + 10.5V の固定出力電圧を維持し、25mA の平均出力電流に対応できるようレギュレートされます。VVM が 12V 未満の場合、チャージ・ポンプは完全ダブラー・モードで動作し、VVDRAIN を基準として VVCP = 2 × VVM – 1.5V (無負荷時) を生成します。MOSFET の駆動不足を防止するため、チャージ・ポンプが低電圧になっていないかが継続的に監視されます。

このチャージ・ポンプには、VDRAIN ピン - VCP ピン間の蓄積コンデンサとして、X5R または X7R、1µF、16V のセラミック・コンデンサが必要です。また、CPH ピン - CPL ピン間には、フライング・コンデンサとして、X5R または X7R、47nF、VDRAIN 定格のセラミック・コンデンサが必要です。

GUID-89FF0169-7735-4679-9D63-C910C30B1F1D-low.gif図 8-12 チャージ・ポンプのアーキテクチャ

ローサイド・ゲート駆動電圧は、VM 電源電圧入力によって動作するリニア・レギュレータを使用して生成されます。VGLS リニア・レギュレータにより、ゲート・ドライバはグランドを基準としてローサイド MOSFET ゲートを正確にバイアスできます。VGLS リニア・レギュレータの出力は 14.5V に固定され、動作中の GLx 出力では 11V にさらに調整されます。VGLS レギュレータは 25mA の出力電流をサポートしています。MOSFET の駆動不足を防止するため、VGLS リニア・レギュレータは低電圧にならないように監視されます。VGLS リニア・レギュレータには、VGLS と GND の間に X5R または X7R、1µF、16V のセラミック・コンデンサが必要です。

チャージ・ポンプ出力は VVDRAIN + 10.5V にレギュレートされるため、高電圧モータ電源 (最大 75V) から直接 VM に電力を供給することも、スイッチングまたはリニア・レギュレータから生成された低電圧ゲート・ドライバ電源から VM に電力を供給することもできます。前者ではシングル電源システムに対応でき、後者ではデバイス効率を向上させ、外部から供給される電源を利用できます。図 8-13 と図 8-14 に、シングル電源構成とデュアル電源構成の DRV835xF の例を示します。

GUID-82DB9E01-1B9A-46B5-872A-5DEBDBFAE09E-low.gif図 8-13 シングル電源の例
GUID-B3F3923F-44BE-4D61-B870-A4130E7344AE-low.gif図 8-14 デュアル電源の例