JAJSMM0C September 2022 – June 2024 DRV8411
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
デバイスの消費電力は、出力 FET 抵抗で消費される DC 電力 (RDS(ON)) によって支配されます。PWM スイッチング損失により、PWM 周波数、立ち上がり / 立ち下がり時間、VM 電源電圧に依存する追加の電力消費が発生します。
1 つの H ブリッジの DC 消費電力は、式 5 で概算できます。
ここで
RDS(on) は温度とともに上昇するので、デバイスが発熱すると消費電力が増大します。最大出力電流を概算するときは、この点を考慮する必要があります。