JAJSFL8C July 2018 – December 2023 DRV8847
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
電源 (VM) | ||||||
IVM | VM 動作電源電流 | VM = 2.7V、nSLEEP = 1、INx = 0 | 2 | 2.5 | mA | |
VM = 5V、nSLEEP = 1、INx = 0 | 3 | 3.5 | mA | |||
VM = 12V、nSLEEP = 1、INx = 0 | 3 | 3.5 | mA | |||
IVMQ | VM スリープ・モード電流 | VM = 2.7V、nSLEEP = 0、TA = 25℃ | 0.1 | µA | ||
VM = 2.7V、nSLEEP = 0、TA = 85℃ | 0.5 | μA | ||||
VM = 5V、nSLEEP = 0、TA = 25℃ | 0.2 | μA | ||||
VM = 5V、nSLEEP = 0、TA = 85℃ | 1 | µA | ||||
VM = 12V、nSLEEP = 0、TA = 25℃ | 1.7 | μA | ||||
VM = 12V、nSLEEP = 0、TA = 85°C | 2.5 | μA | ||||
tSLEEP | スリープ時間 | nSLEEP = 0 でスリープ モード | 2 | µs | ||
tWAKE | ウェークアップ時間 | nSLEEP = 1 で出力遷移 | 1.5 | ms | ||
tON | ターンオン時間 | VM > UVLO で出力遷移 (nSLEEP = 1) | 1.5 | ms | ||
ロジック レベル入力 (IN1、IN2、IN3、IN4、NSLEEP、TRQ、SCL、SDA) | ||||||
VIL | 入力ロジック Low 電圧 | VM < 7 V | 0 | 0.6 | V | |
VM >= 7V (1) | 0 | 1.0 | V | |||
VIH | 入力ロジック High 電圧 | 1.6 | 5.5 | V | ||
VHYS | 入力ロジック・ヒステリシス | nSLEEP ピン | 40 | mV | ||
VHYS | 入力ロジック・ヒステリシス | IN1 ピン、IN2 ピン、IN3 ピン、IN4 ピン、TRQ ピン、SCL ピン | 100 | mV | ||
VIL | nSLEEP | 0 | 0.6 | V | ||
VIH | nSLEEP | 1.6 | 5.5 | V | ||
VHYS | nSLEEP | 40 | mV | |||
IIL | 入力ロジック Low 電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | µA | |
IIH | 入力ロジック High 電流 | IN1、IN2、IN3、IN4、TRQ、VIN = 5V | 18 | 35 | μA | |
nSLEEP、VIN = 最小値 (VM、5V) | 10 | 25 | μA | |||
tPD | 伝搬遅延 | INx エッジで出力 | 100 | 400 | 600 | ns |
tDEGLITCH | 入力ロジックのグリッチ除去 | 50 | ns | |||
トライレベル入力 (MODE) | ||||||
VIL | トライレベル入力論理 Low 電圧 | 0 | 0.6 | V | ||
VIZ | トライレベル入力 Hi-Z 電圧 | 1.2 | V | |||
VIH | トライレベル入力論理 High 電圧 | 1.6 | 5.5 | V | ||
IIL | トライレベル入力論理 Low 電流 | VIN = 0V | -9 | -4 | µA | |
IIH | トライレベル入力論理 High 電流 | VIN = 5V | 8 | 25 | μA | |
オープン・ドレイン出力 (nFAULT) | ||||||
VOL | 出力論理 Low 電圧 | IOD = 5mA | 0.5 | V | ||
IOH | 出力ロジック High 電流 | VOD = 3.3V | -1 | 1 | µA | |
オープン ドレイン出力 (SDA) | ||||||
VOL | 出力論理 Low 電圧 | IOD = 5mA | 0.5 | V | ||
IOH | 出力ロジック High 電流 | VOD = 3.3V | -1 | 1 | µA | |
CB | 各バス・ラインの容量性負荷 | 400 | pF | |||
ドライバ出力 (OUT1、OUT2、OUT3、OUT4) | ||||||
RDS(ON)_HS | ハイサイド MOSFET オン抵抗 | VVM = 2.7V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 690 | mΩ | ||
VVM = 2.7V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 950 | mΩ | ||||
VVM = 5V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 530 | mΩ | ||||
VVM = 5V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 740 | mΩ | ||||
VVM = 12V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 520 | mΩ | ||||
VVM = 12V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 700 | mΩ | ||||
RDS(ON)_LS | ローサイド MOSFET オン抵抗 | VVM = 2.7V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 570 | mΩ | ||
VVM = 2.7V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 900 | mΩ | ||||
VVM = 5V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 460 | mΩ | ||||
VVM = 5V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 690 | mΩ | ||||
VVM = 12V、IOUT = 0.5A、TA = 25℃ | 450 | mΩ | ||||
VVM = 12V、IOUT = 0.5A、TA = 85℃ | 680 | mΩ | ||||
IOFF | オフ状態のリーク電流 | VVM = 5V、TJ = 25℃、VOUT = 0V | -1 | 1 | µA | |
tRISE | 出力立ち上がり時間 | VVM = 12V、IOUT = 0.5A | 150 | ns | ||
tFALL | 出力立ち下がり時間 | VVM = 12V、IOUT = 0.5A | 150 | ns | ||
tDEAD | 出力デッドタイム | 内部デッドタイム | 200 | ns | ||
VSD | ボディダイオード順方向電圧 | IOUT = 0.5A | 1.1 | V | ||
PWM 電流制御 (ISEN12、SEN34) | ||||||
VTRIP | ISENxx トリップ電圧 | 100% でのトルク (TRQ = 0) | 140 | 150 | 160 | mV |
50パーセント でのトルク (TRQ = 1) | 63.75 | 75 | 86.25 | mV | ||
tBLANK | 電流センス ブランキング時間 | 1.8 | μs | |||
tOFF | 電流制御一定オフ時間 | 20 | µs | |||
保護回路 | ||||||
VUVLO | 電源低電圧誤動作防止 | 電源立ち上がり | 2.7 | V | ||
電源立ち下がり | 2.4 | V | ||||
VUVLO_HYS | 電源低電圧ヒステリシス | 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド | 50 | mV | ||
tUVLO | 電源低電圧グリッチ除去時間 | VM 立ち下がり、UVLO 通知 | 10 | μs | ||
IOCP | 過電流保護トリップ ポイント (2) | 1.6 | 2 | A | ||
tOCP | 過電流保護グリッチ除去時間 | VVM < 15 V | 3 | μs | ||
VVM >= 15V | 1 | μs | ||||
tRETRY | 過電流保護リトライ時間 | 1 | ms | |||
IOL_PU | 開放負荷プルアップ電流 | OUTx ピンで 15nF 未満、VVM = 2.7V | 100 | μA | ||
IOL_PU | 開放負荷プルアップ電流 | OUTx ピンで 15nF 未満 | 200 | μA | ||
IOL_PD | 開放負荷プルダウン電流 | OUTx ピンで 15nF 未満、VVM = 2.7V | 130 | µA | ||
IOL_PD | 開放負荷プルダウン電流 | OUTx ピンで 15nF 未満 | 230 | μA | ||
IOL | 開放負荷プルアップおよびプルダウン電流 | 230 | μA | |||
VOL_HS | 開放負荷検出スレッショルド (ハイサイド) | VVM = 2.7 V | 1.3 | V | ||
VOL_HS | 開放負荷検出スレッショルド (ハイサイド) | 2.3 | V | |||
VOL_LS | 開放負荷検出スレッショルド (ローサイド) | VVM = 2.7 V | 0.67 | V | ||
VOL_LS | 開放負荷検出スレッショルド (ローサイド) | 1.2 | V | |||
VOL | 開放負荷検出スレッショルド電圧 | 1.1 | V | |||
TTSD | サーマル・シャットダウン温度 | 150 | 160 | 180 | ℃ | |
THYS | サーマル・シャットダウン・ヒステリシス | 40 | ℃ | |||
VB_BJT_27C | OTS における BJT のベース電圧 (12V 電源でのテストパッド出力) |