JAJSHH8B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
電源 (VCP、VM) | ||||||
IVMQ | VM スリープ・モード電流 | VVM = 13.5V、nSLEEP = 0V、TJ = 25℃ | 0.75 | 1 | µA | |
nSLEEP = 0V | 5 | µA | ||||
IVM | VM アクティブ・モード電流 | VVM = 13.5V、nSLEEP = 5V、 EN/IN1 = PH/IN2 = 0V | 3 | 7 | mA | |
tWAKE | ターンオン時間 | VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V でアクティブ | 1 | ms | ||
tSLEEP | ターンオフ時間 | nSLEEP = 0V でスリープ・モード | 1 | ms | ||
VVCP | チャージ・ポンプ・レギュレータ電圧 | VM で決まる VCP、VVM = 13.5V | 5 | V | ||
fVCP | チャージ・ポンプ・スイッチング周波数 | 400 | kHz | |||
論理レベル入力 (EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP) | ||||||
VIL | 入力論理 Low 電圧 | VVM < 5V | 0 | 0.7 | V | |
VVM ≥ 5V | 0 | 0.8 | ||||
VIH | 入力論理 High 電圧 | 1.5 | 5.5 | V | ||
VHYS | 入力ヒステリシス | 200 | mV | |||
nSLEEP | 50 | mV | ||||
IIL | 入力論理 Low 電流 | VI = 0V | -5 | 5 | µA | |
IIH | 入力論理 High 電流 | VI = 5V | 50 | 75 | µA | |
RPD | 入力プルダウン抵抗 | 対 GND | 100 | kΩ | ||
トライレベル入力 (PMODE) | ||||||
VTIL | トライレベル入力論理 Low 電圧 | 0 | 0.65 | V | ||
VTIZ | トライレベル入力 Hi-Z 電圧 | 4.5V < VVM < 5.5V | 0.9 | 1.0 | 1.1 | V |
5.5V < VVM < 37V | 0.9 | 1.1 | 1.2 | |||
VTIH | トライレベル入力論理 High 電圧 | 1.5 | 5.5 | V | ||
ITIL | トライレベル入力論理 Low 電流 | VI = 0V | -50 | -32 | µA | |
ITIZ | トライレベル入力 Hi-Z 電流 | VI = 1.1V | -10 | 10 | µA | |
ITIH | トライレベル入力論理 High 電流 | VI = 5V | 113 | 150 | µA | |
RTPD | トライレベル・プルダウン抵抗 | 対 GND | 44 | kΩ | ||
RTPU | トライレベル・プルアップ抵抗 | 対内部 5V | 156 | kΩ | ||
クワッドレベル入力 (IMODE) | ||||||
VQI2 | クワッドレベル入力レベル 1 | クワッドレベル 1 に設定する電圧 | 0 | 0.45 | V | |
RQI2 | クワッドレベル入力レベル 2 | クワッドレベル 2 を設定するための対 GND 抵抗 | 18.6 | 20 | 21.4 | kΩ |
RQI3 | クワッドレベル入力レベル 3 | クワッドレベル 3 を設定するための対 GND 抵抗 | 57.6 | 62 | 66.4 | kΩ |
VQI4 | クワッドレベル入力レベル 4 | クワッドレベル 4 を設定するための電圧 | 2.5 | 5.5 | V | |
RQPD | クワッドレベル・プルダウン抵抗 | 対 GND | 136 | kΩ | ||
RQPU | クワッドレベル・プルアップ抵抗 | 対内部 5V | 68 | kΩ | ||
オープン・ドレイン出力 (nFAULT) | ||||||
VOL | 出力論理 Low 電圧 | IOD = 5mA | 0.3 | V | ||
IOZ | 出力論理 High 電流 | VOD = 5V | -2 | 2 | µA | |
ドライバ出力 (OUT1、OUT2) | ||||||
RDS(on)_HS | ハイサイド MOSFET オン抵抗 | VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 25℃ | 100 | 120 | mΩ | |
VVM = 13.5V、IO = 2A、TJ = 150℃ | 160 | 190 | mΩ | |||
RDS(on)_LS | ローサイド MOSFET オン抵抗 | VVM = 13.5V、IO = -2A、TJ = 25℃ | 100 | 120 | mΩ | |
VVM = 13.5V、IO = -2A、TJ = 150℃ | 160 | 190 | mΩ | |||
VSD | ボディ・ダイオード順方向電圧 | ISD = 1A | 0.9 | V | ||
tRISE | 出力立ち上がり時間 | VVM = 13.5V、OUTx が 10% から 90% まで立ち上がる時間 | 500 | ns | ||
tFALL | 出力立ち下がり時間 | VVM = 13.5V、OUTx が 90% から 10% まで立ち下がる時間 | 500 | ns | ||
tPD | 入力から出力までの伝搬遅延 | (EN/IN1、PH/IN2) から OUTx まで、OUTx から GND に 200Ω を接続 | 1.75 | µs | ||
tDEAD | 出力デッドタイム | ボディ・ダイオード導通 | 750 | ns | ||
電流センスおよびレギュレーション (IPROPI、VREF) | ||||||
AIPROPI | 電流ミラー・スケーリング係数 | 450 | µA/A | |||
AERR(1) | 電流ミラー・スケーリング誤差 | IOUT < 0.4A、 5.5V ≤ VVM ≤ 37V | -30 | 30 | mA | |
0.4A ≤ IOUT < 1A、 5.5V ≤ VVM ≤ 37V | -7.5 | 7.5 | % | |||
1A ≤ IOUT < 2A、 5.5V ≤ VVM ≤ 37V | -6 | 6 | ||||
2A ≤ IOUT < 4A、 5.5V ≤ VVM ≤ 37V | -5.5 | 5.5 | ||||
tOFF | 電流レギュレーション・オフ時間 | 25 | µs | |||
tDELAY | 電流検出遅延時間 | 6 | µs | |||
tDEG | 電流レギュレーション・グリッチ除去時間 | 1.7 | µs | |||
tBLK | 電流レギュレーション・ブランキング時間 | 2.7 | µs | |||
保護回路 | ||||||
VUVLO | 電源低電圧誤動作防止 (UVLO) | VVM 立ち上がり | 4.3 | 4.45 | 4.6 | V |
VVM 立ち下がり | 4.2 | 4.35 | 4.5 | V | ||
VUVLO_HYS | 電源 UVLO ヒステリシス | 100 | mV | |||
tUVLO | 電源低電圧グリッチ除去時間 | 10 | µs | |||
VCPUV | チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 | VCP は VM で決まる、VVCP 立ち下がり | 2.25 | V | ||
IOCP | 過電流保護トリップ・ポイント | 6 | 10 | A | ||
tOCP | 過電流保護グリッチ除去時間 | 3 | µs | |||
tRETRY | 過電流保護リトライ時間 | 2 | ms | |||
TTSD | サーマル・シャットダウン温度 | 160 | 175 | 190 | ℃ | |
THYS | サーマル・シャットダウン・ヒステリシス | 20 | ℃ |