JAJSHB9D April   2020  – April 2021 DRV8889-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 インデクサ・タイミング要件
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ステッピング・モータ・ドライバの電流定格
        1. 7.3.1.1 ピーク電流定格
        2. 7.3.1.2 RMS 電流定格
        3. 7.3.1.3 フルスケール電流定格
      2. 7.3.2  PWM モータ・ドライバ
      3. 7.3.3  マイクロステッピング・インデクサ
      4. 7.3.4  MCU DAC による VREF の制御
      5. 7.3.5  電流レギュレーション
      6. 7.3.6  減衰モード
        1. 7.3.6.1 電流増加時および減少時の低速減衰
        2. 7.3.6.2 電流増加時は低速減衰、電流減少時は混合減衰
        3. 7.3.6.3 モード 4：電流増加時は低速減衰、電流減少時は高速減衰
        4. 7.3.6.4 電流増加および減少時の混合減衰
        5. 7.3.6.5 スマート・チューン・ダイナミック減衰
        6. 7.3.6.6 スマート・チューン・リップル制御
      7. 7.3.7  ブランキング時間
      8. 7.3.8  チャージ･ポンプ
      9. 7.3.9  リニア電圧レギュレータ
      10. 7.3.10 ロジック・レベル・ピン構造図
        1. 7.3.10.1 nFAULT ピン
      11. 7.3.11 保護回路
        1. 7.3.11.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 過電流保護 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 ラッチド・シャットダウン (OCP_MODE = 0b)
          2. 7.3.11.3.2 自動リトライ (OCP_MODE = 1b)
        4. 7.3.11.4 開放負荷検出 (OL)
        5. 7.3.11.5 ストール検出
        6. 7.3.11.6 サーマル・シャットダウン (OTSD)
          1. 7.3.11.6.1 ラッチド・シャットダウン (OTSD_MODE = 0b)
          2. 7.3.11.6.2 自動復帰 (OTSD_MODE = 1b)
        7. 7.3.11.7 過熱警告 (OTW)
        8. 7.3.11.8 低温警告 (UTW)
        9.       53
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 ディセーブル・モード (nSLEEP = 1、DRVOFF = 1)
      3. 7.4.3 動作モード (nSLEEP = 1、DRVOFF = 0)
      4. 7.4.4 nSLEEP リセット・パルス
      5.      59
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) 通信
        1. 7.5.1.1 SPI フォーマット
        2. 7.5.1.2 1 つのスレーブ・デバイスのための SPI
        3. 7.5.1.3 パラレル構成の複数のスレーブ・デバイスのための SPI
        4. 7.5.1.4 デイジー・チェーン構成の複数のスレーブ・デバイスのための SPI
    6. 7.6 レジスタ・マップ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ステッピング・モータの速度
        2. 8.2.2.2 電流レギュレーション
        3. 8.2.2.3 減衰モード
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
      4. 8.2.4 熱に関連する計算
        1. 8.2.4.1 消費電力
          1. 8.2.4.1.1 導通損失
          2. 8.2.4.1.2 スイッチング損失
          3. 8.2.4.1.3 静止電流による消費電力
          4. 8.2.4.1.4 全消費電力
        2. 8.2.4.2 PCB のタイプ
        3. 8.2.4.3 HTSSOP パッケージの熱パラメータ
        4. 8.2.4.4 VQFN パッケージの熱パラメータ
        5. 8.2.4.5 デバイスの接合部温度の概算
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

推奨動作条件範囲内 (特に記述のない限り)標準値には TJ = 25℃、VVM = 13.5V が適用されます。 
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
電源 (VM、DVDD、VSDO)
IVMVM 動作電源電流DRVOFF = 0、nSLEEP = 1、出力なし57mA
IVMQVM スリープ・モード電源電流nSLEEP = 024μA
tSLEEPスリープ時間nSLEEP = 0 でスリープモード75μs
tRESETnSLEEP リセット・パルスnSLEEP = Low でフォルト・レジスタをクリアするのみ1835μs
tWAKEウェークアップ時間DRV8889-Q1、nSLEEP = 1 で出力遷移0.60.9ms
DRV8889A-Q1、nSLEEP = 1 で SPI 準備完了100200μs
tONターンオン時間DRV8889-Q1、VM > UVLO で出力遷移0.60.9ms
DRV8889A-Q1、SPI 準備完了、VM > UVLO で出力遷移0.40.9ms
VDVDD内部レギュレータ電圧外部負荷なし、6V < VVM < 45V4.555.5V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCPVCP 動作電圧VM + 5V
f(VCP)チャージ・ポンプ・スイッチング周波数VVM > UVLO、nSLEEP = 1400kHz
ロジック・レベル入力 (STEP、DIR、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、DRVOFF)
VIL入力ロジック Low 電圧00.6V
VIH入力ロジック High 電圧1.55.5V
VHYS入力ロジック・ヒステリシス150mV
IIL1入力ロジック Low 電流VIN = 0V (nSCS、DRVOFF)812μA
IIL2入力ロジック Low 電流VIN = 0V–11μA
IIH1入力ロジック High 電流VIN = DVDD (nSCS、DRVOFF)500nA
IIH2入力ロジック High 電流VIN = 5V50μA
プッシュプル出力 (SDO)
RPD,SDO内部プルダウン抵抗5mA 負荷、GND 基準4075Ω
RPU,SDO内部プルアップ抵抗5mA 負荷、VSDO 基準3060Ω
ISDOSDO リーク電流SDO = VSDO および 0V-11μA
制御出力 (nFAULT)
VOL出力ロジック Low 電圧IO = 5mA0.4V
IOH出力ロジック High リーク電流VVM = 13.5V–11μA
モータ・ドライバ出力 (AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)
RDS(ONH)ハイサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = -1A450550mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A700850mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A780950mΩ
RDS(ONL)ローサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = 1A450550mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A700850mΩ
TJ = 150℃、IO = 1A780950mΩ
tSR出力スルーレートSR = 00b、VM = 13.5V、IO = 0.5A10V/µs
SR = 01b、VM = 13.5V、IO = 0.5A35
SR = 10b、VM = 13.5V、IO = 0.5A50
SR = 11b、VM = 13.5V、IO = 0.5A105
PWM 電流制御 (VREF)
KVトランスインピーダンス・ゲイン2.2V/A
tOFFPWM オフ時間TOFF = 00b7μs
TOFF = 01b16
TOFF = 10b24
TOFF = 11b32
ΔITRIP電流トリップ精度IO = 1.5A、10%～20% 電流設定–1310%
IO = 1.5A、20%～67% 電流設定–88
IO = 1.5A、67%～100% 電流設定–7.57.5
IO,CHAOUT と BOUT の電流マッチングIO = 1.5A–2.52.5%
保護回路
VUVLOVM 低電圧誤動作防止 (UVLO)VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり4.154.254.35V
VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり4.254.354.45
VUVLO,HYS低電圧ヒステリシス立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド100mV
VRSTVM 低電圧誤動作防止 (UVLO) リセットVM 立ち下がり、デバイス・リセット、SPI 通信なし3.9V
VCPUVチャージ・ポンプ低電圧VCP 立ち下がり、CPUV 通知VM + 2V
IOCP過電流保護 いずれかの FET を流れる電流2.4A
tOCP過電流グリッチ除去時間VVM < 37V3μs
VVM ≥ 37V0.5
tRETRY過電流リトライ時間OCP_MODE = 1b4ms
tOL開放負荷検出時間DRV8889-Q1、EN_OL = 1b200ms
DRV8889A-Q1、EN_OL = 1b、OL_TIME = 00b200
DRV8889A-Q1、EN_OL = 1b、OL_TIME = 01b125
DRV8889A-Q1、EN_OL = 1b、OL_TIME = 10b75
DRV8889A-Q1、EN_OL = 1b、OL_TIME = 11b3
IOL開放負荷電流スレッショルド30mA
TOTW過熱警告ダイ温度 TJ135150165°C
TUTW低温警告ダイ温度 TJ-25-105℃
TOTSDサーマル・シャットダウンダイ温度 TJ150165180°C
THYS_OTSDサーマル・シャットダウン・ヒステリシスダイ温度 TJ20℃
THYS_OTW過熱警告ヒステリシスダイ温度 TJ20℃
THYS_UTW低温警告ヒステリシスダイ温度 TJ10°C