JAJST80 February 2024 ESD652-Q1
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
Parameter | MIN | MAX | UNIT | |
---|---|---|---|---|
PPPM | IEC 61000-4-5 Surge (tp = 8/20 µs) Peak Pulse Power at 25 °C (2) | 176 | W | |
IPPM | IEC 61000-4-5 Surge (tp = 8/20 µs) Peak Pulse Current at 25 °C (2) | 5.5 | A | |
TA | Operating free-air temperature | –55 | 150 | °C |
Tstg | Storage temperature | –65 | 155 | °C |