JAJSD51H
April 2017 – July 2022
INA180
,
INA2180
,
INA4180
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Device Comparison
6
Pin Configuration and Functions
7
Specifications
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings
7.3
Recommended Operating Conditions
7.4
Thermal Information
7.5
Electrical Characteristics
7.6
Typical Characteristics
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagrams
8.3
Feature Description
8.3.1
High Bandwidth and Slew Rate
8.3.2
Wide Input Common-Mode Voltage Range
8.3.3
Precise Low-Side Current Sensing
8.3.4
Rail-to-Rail Output Swing
8.4
Device Functional Modes
8.4.1
Normal Mode
8.4.2
Input Differential Overload
8.4.3
Shutdown Mode
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.1.1
Basic Connections
9.1.2
RSENSE and Device Gain Selection
9.1.3
Signal Filtering
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.3
Application Curve
9.3
Power Supply Recommendations
9.3.1
Common-Mode Transients Greater Than 26 V
9.4
Layout
9.4.1
Layout Guidelines
9.4.2
Layout Examples
10
Device and Documentation Support
10.1
Documentation Support
10.1.1
Related Documentation
10.2
Receiving Notification of Documentation Updates
10.3
サポート・リソース
10.4
Trademarks
10.5
Electrostatic Discharge Caution
10.6
Glossary
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DSG|8
MPDS308C
DGK|8
MPDS028E
サーマルパッド・メカニカル・データ
DSG|8
QFND141I
発注情報
jajsd51h_oa
jajsd51h_pm
1
特長
同相範囲 (V
CM
):–0.2V~+26V
広い帯域幅:350kHz (A1 デバイス)
オフセット電圧:
V
CM
= 0V で ±150µV 以下
V
CM
= 12 V で ±500µV 以下
出力スルーレート:2V/µs
精度:
ゲイン誤差 1% (最大値)
オフセット・ドリフト 1μV/℃ (最大値)
ゲイン・オプション:
20V/V (A1 デバイス)
50V/V (A2 デバイス)
100V/V (A3 デバイス)
200V/V (A4 デバイス)
静止電流:最大 260μA
(INA180)