JAJSJB2C
June 2020 – June 2021
INA2290
,
INA290
,
INA4290
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Amplifier Input Common-Mode Range
7.3.2
Input-Signal Bandwidth
7.3.3
Low Input Bias Current
7.3.4
Low VSENSE Operation
7.3.5
Wide Fixed-Gain Output
7.3.6
Wide Supply Range
7.4
Device Functional Modes
7.4.1
Unidirectional Operation
7.4.2
High Signal Throughput
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.1.1
RSENSE and Device Gain Selection
8.1.2
Input Filtering
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Overload Recovery With Negative VSENSE
8.2.3
Application Curve
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Examples
11
Device and Documentation Support
11.1
Documentation Support
11.1.1
Related Documentation
11.2
Receiving Notification of Documentation Updates
11.3
サポート・リソース
11.4
Trademarks
11.5
Electrostatic Discharge Caution
11.6
Glossary
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DGK|8
MPDS028E
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsjb2c_oa
jajsjb2c_pm
1
特長
広い同相電圧範囲:
動作電圧:2.7V~120V
残存電圧:-20V~+122V
非常に優れた CMRR:
160dB (DC)
85dB (AC、50kHz)
精度
ゲイン:
ゲイン誤差:±0.1% 以下
ゲイン・ドリフト:±5ppm/℃以下
オフセット
オフセット電圧:±12μV 以下
オフセット・ドリフト:±0.2µV/℃以下
利用可能なゲイン
A1 デバイス:20V/V
A2 デバイス:50V/V
A3 デバイス:100V/V
A4 デバイス:200V/V
A5 デバイス:500 V/V
広帯域幅:1.1MHz
スルーレート:2V/µs
静止電流:370µA
(チャネルあたり)