JAJSLK6D May   2021  – August 2023 INA236

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件 (I2C)
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 統合型 A/D コンバータ (ADC)
      2. 7.3.2 電力の計算
      3. 7.3.3 小さいバイアス電流
      4. 7.3.4 低電圧電源と広い同相電圧範囲
      5. 7.3.5 ALERT ピン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 連続動作とトリガ動作の比較
      2. 7.4.2 デバイス・シャットダウン
      3. 7.4.3 パワーオン・リセット
      4. 7.4.4 平均化と変換の時間についての検討事項
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 I2C シリアル・インターフェイス
      2. 7.5.2 I2C シリアル・インターフェイスを使用した書き込みと読み取り
      3. 7.5.3 高速 I2C モード
      4. 7.5.4 ゼネラル・コール・リセット
      5. 7.5.5 ゼネラル・コールの開始バイト
      6. 7.5.6 SMBus のアラート応答
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 デバイスのレジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 デバイスの測定範囲と分解能
      2. 8.1.2 電流と電力の計算
      3. 8.1.3 ADC 出力のデータ・レートとノイズ性能
      4. 8.1.4 フィルタリングと入力についての考慮事項
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 シャント抵抗の選択
        2. 8.2.2.2 デバイスの構成
        3. 8.2.2.3 Shunt Calibration レジスタのプログラム
        4. 8.2.2.4 目標のフォルト・スレッショルドの設定
        5. 8.2.2.5 戻り値の計算
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイスのサポート
      1. 9.1.1 開発サポート
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DDF|8
  • YBJ|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TA = 25℃、VS = 3.3 V、VSENSE = VIN+ - VIN- = 0 mV、VIN- = VBUS = 12 V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
入力
CMRR 同相除去 VCM = -0.3V～48V、TA = -40℃～125℃ 136 150 dB
シャント電圧入力範囲 ADCRANGE = 0 -81.9175 81.92 mV
ADCRANGE = 1 -20.4794 20.48 mV
Vos シャント・オフセット電圧 VCM = 12V ±1 ±5 µV
dVos/dT シャント・オフセット電圧ドリフト TA = -40℃～+125℃ ±5 ±25 nV/℃
Vos_b IN- バスのオフセット電圧 ±1 ±7.5 mV
dVos_b/dT IN- バスのオフセット電圧ドリフト TA = -40℃～+125℃ ±10 ±30 μV/℃
PSRRSHUNT 電源除去比
(電流の測定)		 VS = 1.7V～5.5V、TA = -40℃～125℃ ±0.5 ±2.5 µV/V
PSRRBUS 電源除去比
(電圧の測定)		 VS = 1.7 V～5.5V、TA = -40℃～125℃、VIN- = 50mV ±0.5 ±2.5 mV/V
ZIN- IN- の入力インピーダンス バス電圧の測定モード 1.05 MΩ
IB_SHDWN 入力リーケージ IN+、IN-、シャットダウン・モード 0.1 5 nA
IB 入力バイアス電流 IN+、IN-、電流測定モード 0.1 10 nA
DC 精度
RDIFF 差動入力インピーダンス
(IN+ から IN- へ)		 シャントまたは電流測定モード、VIN+ - VIN- < 82mV  140 kΩ
ADC 分解能 TA = -40℃～125℃ 16 ビット
1LSB ステップ・サイズ シャント電圧、ADCRANGE = 0 2.5 μV
シャント電圧、ADCRANGE = 1 625 nV
バス電圧 1.6 mV
ADC 変換時間
(TA = -40℃～125℃)		 CT ビット=000 133 140 147 μs
CT ビット=001 194 204 214 μs
CT ビット=010 315 332 349 μs
CT ビット=011 559 588 617 μs
CT ビット=100 1.045 1.100 1.155 ms
CT ビット=101 2.01 2.116 2.222 ms
CT ビット=110 3.948 4.156 4.364 ms
CT ビット=111 7.832 8.244 8.656 ms
GSERR シャント電圧のゲイン誤差 ±0.015 ±0.1 %
GS_DRFT シャント電圧のゲイン誤差ドリフト TA = -40℃～+125℃ 30 ppm/℃
GBERR VIN- 電圧のゲイン誤差 ±0.015 ±0.1 %
GB_DRFT VIN- 電圧のゲイン誤差ドリフト TA = -40℃～+125℃ 30 ppm/℃
INL 積分非直線性 ADCRANGE = 0 、リニア最適化、
TA = -40℃～+125℃		 ±1.5 ±6 m%
DNL 微分非直線性 ±0.1 LSB
電源
IQ 静止電流 VSENSE = 0mV 300 380 μA
IQ と温度との関係、TA = -40℃～+125℃ 500 μA
シャットダウン 2.2 3 μA
VPOR パワーオン・リセットのスレッショルド VS の立ち下がり 0.95 V
SMBUS
SMBUS タイムアウト 28 35 ms
デジタル入出力
入力容量 3 pF
VIH ロジック入力レベル、High VS = 1.7 V～5.5 V、TA = -40℃～+125℃ 0.9 5.5 V
VIL ロジック入力レベル、Low VS = 1.7 V～5.5 V、TA = -40℃～+125℃ 0 0.4 V
VHYS ヒステリシス 130 mV
VOL ロジック出力レベル、Low IOL = 3 mA、VS = 1.7 V～5.5 V、TA = -40℃～+125℃ 0 0.3 V
デジタル・リーク入力電流 0 ≦ VINPUT ≦ VS  -1 1 µA