JAJSLB4A February   2021  – May 2022 INA237

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成と機能
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件 (I2C)
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 標準的特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 特長の説明
      1. 7.3.1 多用途の高電圧測定機能
      2. 7.3.2 電力の計算
      3. 7.3.3 低いバイアス電流
      4. 7.3.4 高精度デルタ - シグマ ADC
        1. 7.3.4.1 低レイテンシのデジタル・フィルタ
        2. 7.3.4.2 フレキシブルな変換時間と平均化
      5. 7.3.5 内蔵高精度発振器
      6. 7.3.6 マルチアラート監視とフォルト検出
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 シャットダウン・モード
      2. 7.4.2 パワーオン・リセット
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 I2C シリアル・インターフェイス
        1. 7.5.1.1 I2C シリアル・インターフェイスを使用した書き込みと読み取り
        2. 7.5.1.2 高速 I2C モード
        3. 7.5.1.3 SMBus のアラート応答
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 INA237 レジスタ
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 デバイスの測定範囲と分解能
      2. 8.1.2 電流および電力の計算
      3. 8.1.3 ADC 出力のデータ・レートとノイズ性能
      4. 8.1.4 入力フィルタリングに関する検討事項
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 シャント抵抗の選択
        2. 8.2.2.2 デバイスの構成
        3. 8.2.2.3 シャント・キャリブレーション・レジスタのプログラム
        4. 8.2.2.4 目標のフォルト・スレッショルドの設定
        5. 8.2.2.5 戻り値の計算
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

低いバイアス電流

INA237 は非常に低い入力バイアス電流を特長としており、いくつかの利点があります。INA237 は入力バイアス電流が低いため、アクティブ状態とシャットダウン状態の両方で、デバイスの消費電流が低減されます。低バイアス電流のもう 1 つの利点は、信号をデジタル・データに変換する前に、入力フィルタを使用して高周波ノイズを除去できることです。従来のデジタル電流センス・アンプでは、入力フィルタの追加に伴い、精度が低下していました。しかし、低バイアス電流のため、入力フィルタによる精度の低下は最小限に抑えられます。低バイアス電流の他の利点は、小さな電流を正確に検出するために、大きなシャント抵抗を使用できることです。シャント抵抗に大きな値を使用すると、デバイスは sub-mA の範囲で電流を正確に監視することができます。

INA237 のバイアス電流は、検出された電流が 0 のときに最小となります。電流が増加し始めると、シャント抵抗の両端の差動電圧降下は増加し、その結果、図 6-14 に示すように、バイアス電流が増加します。