JAJSKE6 November   2020 INA281-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
  8. 7 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 アンプの入力同相信号
        1. 8.3.1.1 入力信号の帯域幅
        2. 8.3.1.2 低い入力バイアス電流
        3. 8.3.1.3 低い VSENSE での動作
        4. 8.3.1.4 広い固定ゲイン出力
        5. 8.3.1.5 広い電源電圧範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 単方向動作
      2. 8.4.2 高い信号スループット
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 RSENSE とデバイスのゲインの選択
      2. 9.1.2 入力フィルタリング
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 負の VSENSE による過負荷復帰
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準 (1) INA281-Q1 単位
DBV (SOT-23)
5 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 184.7 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 105.6 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 47.2 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 21.5 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 46.9 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。