JAJSJB3A June 2020 – November 2023 INA281
PRODUCTION DATA
INA281-Q1 –3dB 帯域幅はゲインに依存しており、20V/V、50V/V、100V/V、200V/V、500V/V という複数のゲイン オプションがあります。独自のマルチステージ設計により、このアンプはすべてのゲインで高帯域幅を実現します。この高帯域幅により、過電流イベントの迅速な検出と処理に必要なスループットと高速応答が可能になります。
デバイスの帯域幅は、印加されている VSENSE 電圧にも依存します。図 6-1 に、出力電圧はゲイン変動ごとに増加するため、周波数帯域におけるデバイスの帯域幅性能プロファイルを示します。図 6-1 に示すように、このデバイスは VSENSE 電圧が高い場合に最大の帯域幅を示し、デバイスのゲイン オプションが小さいほど帯域幅は高くなります。高周波数の電流検出アプリケーションでは、個別の要件によって、許容される誤差の限界が決定されます。受け入れ基準を決定し、性能レベルがシステム仕様を満たしているかどうか検証するには、最終アプリケーションや回路でのテストと評価が必要です。