JAJSNB6C november   2021  – may 2023 INA350

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイス比較表
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 ゲイン設定
        1. 8.3.1.1 ゲイン誤差とドリフト係数
      2. 8.3.2 入力同相電圧範囲
      3. 8.3.3 EMI 除去
      4. 8.3.4 代表的な仕様と分布
      5. 8.3.5 電気的オーバーストレス
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 抵抗性ブリッジ圧力センサ
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスのサポート
      1. 10.1.1 開発サポート
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱評価基準 (1) INA350ABS、INA350CDS 単位
DDF (SOT-23-THN) DSG (WSON) RUG (X2QFN)
8 ピン 8 ピン 10 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 169.1 89.2 199.0 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 101.7 111.8 78.3 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 84.8 55.8 123.2 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 12.6 9.3 2.1 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 84.3 55.7 122.7 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし 31.0 該当なし ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。