JAJSFF3B November 2020 – April 2021 INA849
PRODUCTION DATA
INA849 は、±15V 電源電圧で無信号状態でも、約 200mW の電力を消費します。内部抵抗ネットワークと出力負荷駆動により、入力信号に応じてさらに消費電力が生じます。INA849 はシリコン面積が小さいので、電気的性能に悪影響を及ぼす可能性のある温度勾配が内部回路に生じます。
シリコン内のこれらの熱効果により、オフセット電圧、直線性、同相除去比、全高調波歪などの高精度パラメータが影響を受けることがあります。温度勾配は、高いゲイン (>10) と大きな出力電圧変動を持つ低周波数の入力信号の性能に対して特に影響を及ぼします。アプリケーションで許可される場合は、グラフ 図 9-5 で示されるように、電源電圧を下げることで熱効果を最小限に抑えることができます。