JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱特性(1) INA849 INA849 単位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 ピン 8 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 119.6 168.7 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 66.3 61.4 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 61.9 90.0 ℃/W
ψJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 20.5 8.4 ℃/W
ψJB 接合部から基板への熱特性パラメータ 61.4 88.4 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 N/A N/A ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。