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  • ISO5451-Q1 高CMTI 2.5A/5A絶縁型IGBT、MOSFETゲート・ドライバ、アクティブ安全機能搭載

    • JAJSCI7 September   2016 ISO5451-Q1

      PRODUCTION DATA.  

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  • ISO5451-Q1 高CMTI 2.5A/5A絶縁型IGBT、MOSFETゲート・ドライバ、アクティブ安全機能搭載
  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要(続き)
  6. 6 Pin Configuration and Function
  7. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Power Rating
    6. 7.6  Insulation Characteristics
    7. 7.7  Safety Limiting Values
    8. 7.8  Safety-Related Certifications
    9. 7.9  Electrical Characteristics
    10. 7.10 Switching Characteristics
    11. 7.11 Safety and Insulation Characteristics Curves
    12. 7.12 Typical Characteristics
  8. 8 Parameter Measurement Information
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Supply and active Miller clamp
      2. 9.3.2 Active Output Pull-down
      3. 9.3.3 Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication Output
      4. 9.3.4 Fault (FLT) and Reset (RST)
      5. 9.3.5 Short Circuit Clamp
    4. 9.4 Device Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Applications
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1  Recommended ISO5451-Q1 Application Circuit
        2. 10.2.2.2  FLT and RDY Pin Circuitry
        3. 10.2.2.3  Driving the Control Inputs
        4. 10.2.2.4  Local Shutdown and Reset
        5. 10.2.2.5  Global-Shutdown and Reset
        6. 10.2.2.6  Auto-Reset
        7. 10.2.2.7  DESAT Pin Protection
        8. 10.2.2.8  DESAT Diode and DESAT Threshold
        9. 10.2.2.9  Determining the Maximum Available, Dynamic Output Power, POD-max
        10. 10.2.2.10 Example
        11. 10.2.2.11 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 10.2.3 Application Curve
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 PCB Material
    3. 12.3 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 コミュニティ・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報
  15. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
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DATA SHEET

ISO5451-Q1 高CMTI 2.5A/5A絶縁型IGBT、MOSFETゲート・ドライバ、アクティブ安全機能搭載

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み：
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • 同相過渡耐圧(CMTI): 50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)
    (VCM = 1500V)
  • 2.5Aピーク・ソース電流および5Aピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 3V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧10000VPK
  • 安全性および規制の認定
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁: 8000VPK VIOTMおよび1420VPK VIORM
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC 60950–1およびIEC 60601–1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠のすべての認定を完了、CSA認定は計画中

2 アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFET
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

3 説明

ISO5451-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の 5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の3V～5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
ISO5451-Q1 SOIC (16) 10.30mm×7.50mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

機能ブロック図

ISO5451-Q1 fbd_SLLSEQ1.gif

4 改訂履歴

日付 改訂内容 注
2016年9月 * 初版

5 概要(続き)

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5451-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～125℃の周囲温度範囲について規定されています。

6 Pin Configuration and Function

DW Package
16-Pin SOIC
Top View
ISO5451-Q1 po_sllsen5.gif

Pin Functions

PIN I/O DESCRIPTION
NAME NO.
VEE2 1, 8 - Output negative supply. Connect to GND2 for Unipolar supply application.
DESAT 2 I Desaturation voltage input
GND2 3 - Gate drive common. Connect to IGBT emitter.
NC 4 - Not connected
VCC2 5 - Most positive output supply potential.
OUT 6 O Gate drive voltage output
CLAMP 7 O Miller clamp output
GND1 9, 16 - Input ground
IN+ 10 I Non-inverting gate drive voltage control input
IN- 11 I Inverting gate drive voltage control input
RDY 12 O Power-good output, active high when both supplies are good.
FLT 13 O Fault output, low-active during DESAT condition
RST 14 I Reset input, apply a low pulse to reset fault latch.
VCC1 15 - Positive input supply (3 V to 5.5 V)

 
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