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  • ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力およびアクティブ保護機能搭載

    • JAJSQG2C august   2015  – may 2023 ISO5452

      PRODUCTION DATA  

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  • ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力およびアクティブ保護機能搭載
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 Pin Configuration and Function
  8. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Power Ratings
    6. 7.6  Insulation Specifications
    7. 7.7  Safety-Related Certifications
    8. 7.8  Safety Limiting Values
    9. 7.9  Electrical Characteristics
    10. 7.10 Switching Characteristics
    11. 7.11 Insulation Characteristics Curves
    12. 7.12 Typical Characteristics
  9. 8 Parameter Measurement Information
  10. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Supply and Active Miller Clamp
      2. 9.3.2 Active Output Pull-down
      3. 9.3.3 Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication Output
      4. 9.3.4 Soft Turn-Off, Fault ( FLT) and Reset ( RST)
      5. 9.3.5 Short Circuit Clamp
    4. 9.4 Device Functional Modes
  11. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Applications
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1  Recommended ISO5452 Application Circuit
        2. 10.2.2.2  FLT and RDY Pin Circuitry
        3. 10.2.2.3  Driving the Control Inputs
        4. 10.2.2.4  Local Shutdown and Reset
        5. 10.2.2.5  Global-Shutdown and Reset
        6. 10.2.2.6  Auto-Reset
        7. 10.2.2.7  DESAT Pin Protection
        8. 10.2.2.8  DESAT Diode and DESAT Threshold
        9. 10.2.2.9  Determining the Maximum Available, Dynamic Output Power, POD-max
        10. 10.2.2.10 Example
        11. 10.2.2.11 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 10.2.3 Application Curves
  12. 11Power Supply Recommendations
  13. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
    3. 12.3 PCB Material
  14. 13Device and Documentation Support
    1. 13.1 Device Support
      1. 13.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 13.2 Documentation Support
      1. 13.2.1 Related Documentation
    3. 13.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 13.4 サポート・リソース
    5. 13.5 Trademarks
    6. 13.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 13.7 用語集
  15. 14Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  16. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
  • jajsqg2c_oa
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    • Expanded reading width
  • Card for each section
  • Card with all content

 

Data Sheet

ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、
分割出力およびアクティブ保護機能搭載

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 同相過渡耐圧 (CMTI)：50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)
    (VCM = 1500V)
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および
    5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延：76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO)：レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧：2.25V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧：15V～30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度：-40℃～+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 10000VPK
  • 安全関連の認定：
    • 8000VPK VIOTM および 1420VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

2 アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁型 IGBT および MOSFET ドライブ：
    • 産業用モーター制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • HEV および EV の電源モジュール
    • 誘導加熱

3 概要

ISO5452 デバイスは、5.7kVRMS、IGBT および MOSFET 用の強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V～5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。
2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2μs の間 Low になります。
OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である VEE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が VEE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

製品情報 (1)
部品番号 パッケージ 本体サイズ (公称)
ISO5452 SOIC (16) 10.30mm × 7.50mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-183CD3AA-171A-40A7-AB3E-08C7A5AAF6CD-low.gif機能ブロック図

4 Revision History

Changes from Revision B (January 2017) to Revision C (May 2023)

  • Added Additional manufacturing certification pending in the Safety-Related Certifications tableGo

Changes from Revision A (September 2015) to Revision B (January 2017)

  • タイトルを「アクティブ安全機能」から「アクティブ保護機能」に変更 Go
  • 「特長」の「サージ耐性 10000VPK (IEC 61000-4-5 準拠)」を「絶縁サージ耐久電圧 10000VPK」へ変更Go
  • Moved Insulation Specifications to the Specifications sectionGo
  • Changed RIO Test conditions From: TS To: TS = 150°C in Insulation Specifications Go
  • Moved Safety-Related Certifications to the Specifications sectionGo
  • Moved Safety Limiting Values to the Specifications sectionGo
  • Moved Insulation Characteristics Curves to the Specifications Go
  • Added text ", but connecting CLAMP output of the gate driver to the IGBT gate is also not an issue." to Supply and Active Miller Clamp Go
  • Deleted ground symbol on pin 11 of the Global Shutdown With Inverting Input Configuration figureGo
  • Deleted ground symbol on pin 11 on the inverting input of the Auto Reset for Noninverting and Inverting Input Configuration figureGo

Changes from Revision * (August 2015) to Revision A (September 2015)

  • 1 ページの製品プレビューから完全なデータシートへ変更Go
  • 「特長」の「同相過渡耐圧 (CMTI)：50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)..」をリストの先頭に移動Go
  • すべての認定のステータスを「完了」に変更Go
  • 「機能ブロック図」を変更、ピン OUTL に STO を追加 Go
  • Changed RIO Test conditions From: 100°C ≤ TA ≤ max To: 100°C ≤ TA ≤ 125°C in Insulation Specifications Go
  • Changed the Safety-Related Certifications tableGo

5 概要 (続き)

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT 出力状況はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は VEE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5452 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

 
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