JAJSQC4C august 2015 – may 2023 ISO5852S
PRODUCTION DATA
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT 出力状態はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。
バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は VEE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることを防止できます。
ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。
ISO5852S デバイスは、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。