JAJSE60B November 2017 – September 2019 ISOW7821
PRODUCTION DATA.
ISOW7821デバイスは高い電磁気耐性と低い放射を実現しながら、CMOSまたはLVCMOSデジタルI/Oを絶縁します。信号絶縁チャネルでは、ロジック入力および出力バッファが二酸化ケイ素(SiO2)絶縁バリアによって分離されています。また電力絶縁では、薄膜ポリマーを絶縁素材としたオンチップの変圧器を使用しています。順方向および逆方向チャネルの各種構成を利用可能です。入力信号が消失した場合のデフォルト出力は、ISOW7821デバイスではHIGH、末尾にFが付くデバイスではLOWです(「デバイスの特長」を参照)。
これらのデバイスにより、データバスや他の回路上のノイズ電流がローカル・グランドへ入り込み、ノイズに敏感な回路に干渉したり損傷を与えたりすることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISOW7821デバイスは電磁環境適合性が大幅に強化されているため、システムレベルでESD、EFT、サージ、放射のコンプライアンスを容易に達成できます。電力コンバータの効率が高いため、より高い周囲温度での動作が可能です。ISOW7821デバイスは、16ピンSOICワイドボディ(SOIC-WB) DWEパッケージで供給されます。