JAJSUF7 November   2023  – April 2024 IWRL6432AOP

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
    1. 5.1 関連製品
  7. 6 端子構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2.     10
    3. 6.2 信号の説明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
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      16.      27
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  電源投入時間 (POH)
    4. 7.4  推奨動作条件
    5. 7.5  ワンタイム プログラマブル (OTP) eFuse の VPP 仕様
      1. 7.5.1 OTP eFuse プログラミングの推奨動作条件
      2. 7.5.2 ハードウェア要件
      3. 7.5.3 ハードウェア保証への影響
    6. 7.6  電源仕様
      1. 7.6.1 消費電力が最適化された 3.3V I/O トポロジ
      2. 7.6.2 消費電力が最適化された 1.8V I/O トポロジ
      3. 7.6.3 BOM が最適化された 3.3V I/O トポロジ
      4. 7.6.4 BOM が最適化された 1.8V I/O トポロジ
      5. 7.6.5 システム トポロジ
        1. 7.6.5.1 電源トポロジ
          1. 7.6.5.1.1 BOM 最適化モード
          2. 7.6.5.1.2 消費電力最適化モード
      6. 7.6.6 BOM 最適化トポロジのための内部 LDO 出力デカップリング コンデンサおよびレイアウト条件
        1. 7.6.6.1 単一コンデンサ レール
          1. 7.6.6.1.1 1.2V デジタル LDO
        2. 7.6.6.2 2 コンデンサ レール
          1. 7.6.6.2.1 1.2V RF LDO
          2. 7.6.6.2.2 1.2V SRAM LDO
          3. 7.6.6.2.3 1.0V RF LDO
      7. 7.6.7 ノイズおよびリップルの仕様
    7. 7.7  パワー セーブ モード
      1. 7.7.1 標準消費電力の値
    8. 7.8  電圧レールごとのピーク電流要件
    9. 7.9  サポート対象 DFE 機能
    10. 7.10 RF 仕様
    11. 7.11 CPU の仕様
    12. 7.12 熱抵抗特性
    13. 7.13 アンテナ放射パターン
      1. 7.13.1 レシーバのアンテナ放射パターン
      2. 7.13.2 トランスミッタのアンテナ放射パターン
    14. 7.14 アンテナ位置
    15. 7.15 タイミングおよびスイッチング特性
      1. 7.15.1  電源シーケンスおよびリセット タイミング
      2. 7.15.2  同期フレーム トリガ
      3. 7.15.3  入力クロックおよび発振器
        1. 7.15.3.1 クロック仕様
      4. 7.15.4  マルチチャネル バッファ付き / 標準シリアル ペリフェラル インターフェイス (McSPI)
        1. 7.15.4.1 McSPI の特長
        2. 7.15.4.2 SPI のタイミング条件
        3. 7.15.4.3 SPI - コントローラ モード
          1. 7.15.4.3.1 SPI - コントローラ モードのタイミングおよびスイッチング要件
          2. 7.15.4.3.2 SPI 出力タイミングのタイミングおよびスイッチング特性 - コントローラ モード
        4. 7.15.4.4 SPI - ペリフェラル モード
          1. 7.15.4.4.1 SPI のタイミングおよびスイッチング要件 - ペリフェラル モード
          2. 7.15.4.4.2 SPI 出力タイミングのタイミングおよびスイッチング特性 - セカンダリ モード
      5. 7.15.5  RDIF インターフェイスの構成
        1. 7.15.5.1 RDIF インターフェイスのタイミング
        2. 7.15.5.2 RDIF データ形式
      6. 7.15.6  汎用入出力 (General-Purpose Input/Output)
        1. 7.15.6.1 出力タイミングと負荷容量 (CL) のスイッチング特性
      7. 7.15.7  CAN-FD (Controller Area Network - Flexible Data-rate)
        1. 7.15.7.1 CANx TX および RX ピンの動的特性
      8. 7.15.8  シリアル通信インターフェイス (SCI)
        1. 7.15.8.1 SCI のタイミング要件
      9. 7.15.9  I2C (Inter-Integrated Circuit Interface)
        1. 7.15.9.1 I2C のタイミング要件
      10. 7.15.10 クワッド シリアル ペリフェラル インターフェイス (QSPI)
        1. 7.15.10.1 QSPI のタイミング条件
        2. 7.15.10.2 QSPI 入力 (読み取り) タイミングのタイミング要件
        3. 7.15.10.3 QSPI スイッチング特性
      11. 7.15.11 JTAG インターフェイス
        1. 7.15.11.1 JTAG のタイミング条件
        2. 7.15.11.2 IEEE 1149.1 JTAG のタイミング要件
        3. 7.15.11.3 IEEE 1149.1 JTAG の推奨動作条件に対するスイッチング特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 サブシステム
      1. 8.3.1 RF およびアナログ サブシステム
      2. 8.3.2 クロック サブシステム
      3. 8.3.3 送信サブシステム
      4. 8.3.4 受信サブシステム
      5. 8.3.5 プロセッサ サブシステム
      6. 8.3.6 ホスト インターフェイス
      7. 8.3.7 アプリケーション サブシステム Cortex-M4F
      8. 8.3.8 ハードウェア アクセラレータ (HWA1.2) の特長
        1. 8.3.8.1 ハードウェア アクセラレータ機能 HWA1.1 と HWA1.2 の違い
    4. 8.4 その他のサブシステム
      1. 8.4.1 ユーザー アプリケーション向け GPADC チャネル (サービス)
      2. 8.4.2 GPADC のパラメータ
    5. 8.5 メモリ パーティションの選択
    6. 8.6 ブート モード
  10. 9 監視と診断
  11. 10アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 リファレンス回路図
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス命名規則
    2. 11.2 ツールとソフトウェア
    3. 11.3 ドキュメントのサポート
    4. 11.4 サポート リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • AMY|101
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.1 デバイス命名規則

製品開発サイクルの段階を示すために、TIではマイクロプロセッサ(MPU)とサポート ツールのすべての型番に接頭辞が割り当てられています。各デバイスには次の 3 つのいずれかの接頭辞があります。X、P、空白 (接頭辞なし) (たとえば、IWRL6432AOP)。テキサス・インスツルメンツでは、サポート ツールについては、使用可能な 3 つの接頭辞のうち TMDX および TMDSの 2 つを推奨しています。これらの接頭辞は、製品開発の進展段階を表します。段階には、エンジニアリング プロトタイプ(TMDX)から、完全認定済みの量産デバイス/ツール(TMDS)まであります。

デバイスの開発進展フロー：

    X実験的デバイス。最終デバイスの電気的特性を必ずしも表さず、量産アセンブリ フローを使用しない可能性があります。
    Pプロトタイプ デバイス。最終的なシリコン ダイとは限らず、最終的な電気的特性を満たさない可能性があります。
    空白認定済みのシリコン ダイの量産バージョン。

サポート ツールの開発進展フロー:

    TMDX開発サポート製品。 テキサス・インスツルメンツの社内認定試験はまだ完了していません。
    TMDS完全に認定済みの開発サポート製品です。

XおよびPデバイスとTMDX開発サポート ツールは、以下の免責事項の下で出荷されます。

「開発中の製品は、社内での評価用です。」

量産デバイスおよびTMDS開発サポート ツールの特性は完全に明確化されており、デバイスの品質と信頼性が十分に示されています。テキサス・インスツルメンツの標準保証が適用されます。

プロトタイプ デバイス(XまたはP)の方が標準的な量産デバイスに比べて故障率が大きいと予測されます。これらのデバイスは予測される最終使用時の故障率が未定義であるため、 テキサス・インスツルメンツではそれらのデバイスを量産システムで使用しないよう推奨しています。認定済みの量産デバイスのみを使用する必要があります。

TIデバイスの項目表記には、デバイス ファミリ名の接尾辞も含まれます。この接尾辞は、パッケージのタイプ (例：AMY0101) と温度範囲を表しています (たとえば、空白はデフォルトの民生用温度範囲を示します)。図 11-1 に、任意の IWRL6432AOP デバイスについて、完全なデバイス名を読み取るための凡例を示します。

AMY0101 パッケージ タイプの IWRL6432AOP デバイスの注文可能な型番については、(利用可能な場合) このドキュメントにある「パッケージ オプションの付録」やテキサス・インスツルメンツの Web サイト (www.ti.com) を参照するか、テキサス・インスツルメンツの販売代理店にお問い合わせください。

ダイに対するデバイス命名規則マーキングの詳細説明については、『IWRL6432AOP デバイス エラッタ』を参照してください。

IWRL6432AOP デバイスの命名規則 図 11-1 デバイスの命名規則