• ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
• ブートストラップ・ダイオードを内蔵
• 8V GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
• BST での電圧 (絶対最大値)：107V
• SH での負過渡電圧 (絶対最大値)：-19.5V
• ソース / シンク電流 (ピーク時)：0.5A/0.8A
• 伝搬遅延時間 (代表値)：115ns

• ブラシレス DC (BLDC) モータ
• 永久磁石同期モータ (PMSM)
• コードレス掃除機
• コードレスの園芸用器具および電動工具
• 電動アシスト自転車および電動スクーター
• バッテリ試験装置
• オフライン無停電電源 (UPS)
• 汎用 MOSFET または IGBT ドライバ

LM2005 は、同期整流式降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方の N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された、コンパクトな高電圧ゲート・ドライバです。ブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため、外付けのディスクリート・ダイオードが不要になり、基板面積を節約し、システム・コストを削減できます。

SH ピンでの DC -1V および -19.5V の過渡負電圧処理により、高ノイズ・アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。熱特性強化型の小型 8 ピン WSON パッケージにより、ドライバをモータ位相に近い位置に配置できるため、PCB レイアウトが改善されます。LM2005 は、業界標準のピン配置と互換性のある 8 ピン SOIC パッケージでも供給されます。ローサイドとハイサイドの両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載されており、電源投入および電源切断時の保護を実現します。