JAJSN04A
april 2023 – august 2023
LM2103
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Timing Diagrams
6.8
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Start-Up and UVLO
7.3.2
Input Stages
7.3.3
Level Shift
7.3.4
Output Stages
7.3.5
SH Transient Voltages Below Ground
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Select External Bootstrap Diode and Its Series Resistor
8.2.2.2
Select Bootstrap and GVDD Capacitor
8.2.2.3
Select External Gate Driver Resistor
8.2.2.4
Estimate the Driver Power Loss
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Device Support
11.1.1
サード・パーティ製品に関する免責事項
11.2
Documentation Support
11.2.1
Related Documentation
11.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
11.4
サポート・リソース
11.5
Trademarks
11.6
静電気放電に関する注意事項
11.7
用語集
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
D|8
MSOI002K
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsn04a_oa
jajsn04a_pm
1
特長
ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
8-V
GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
BST での電圧 (絶対最大値):107V
SH での負過渡電圧 (絶対最大値):-19.5V
ソース / シンク電流 (ピーク時):0.5A/0.8A
固定内部デッドタイム (代表値):475ns
クロス導通防止機能を内蔵
伝搬遅延時間 (代表値):115ns
反転入力ピン
INL