JAJSFF2E September   2018  – February 2022 LM321LV , LM324LV , LM358LV

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報：LM321LV
    5. 6.5 熱に関する情報：LM358LV
    6. 6.6 熱に関する情報：LM324LV
    7. 6.7 電気的特性
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 動作電圧
      2. 7.3.2 グランドを含む同相入力範囲
      3. 7.3.3 過負荷からの回復
      4. 7.3.4 電気的オーバーストレス
      5. 7.3.5 EMI 感受性と入力フィルタリング
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 入力および ESD 保護
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 熱に関する情報：LM358LV

熱評価基準 (1)LM358LV単位
D (SOIC)DGK (VSSOP)PW (TSSOP)DDF (SOT-23)
8 ピン8 ピン8 ピン8 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗207.9201.2200.7183.7℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗92.885.795.4112.5℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗129.7122.9128.698.2℃/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ2621.227.218.8℃/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ127.9121.4127.297.6℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』を参照してください。