JAJSFF2E September   2018  – February 2022 LM321LV , LM324LV , LM358LV

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報：LM321LV
    5. 6.5 熱に関する情報：LM358LV
    6. 6.6 熱に関する情報：LM324LV
    7. 6.7 電気的特性
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 動作電圧
      2. 7.3.2 グランドを含む同相入力範囲
      3. 7.3.3 過負荷からの回復
      4. 7.3.4 電気的オーバーストレス
      5. 7.3.5 EMI 感受性と入力フィルタリング
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 入力および ESD 保護
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.2.2 詳細な設計手順

図 8-1 の回路の伝達関数は、Equation1 に示すとおりです。

Equation1. GUID-55791B5C-190A-4DF4-B254-3CC786FBF411-low.gif

負荷電流 (ILOAD) により、シャント抵抗 (RSHUNT) の両端で電圧降下が発生します。負荷電流は 0A～1A に設定されます。最大負荷電流時にシャント電圧を 100mV 未満に維持するため、許容される最大シャント抵抗はEquation2 を使って示されます。

Equation2. GUID-C45013C6-1441-4BF9-AF6C-656A61F6F3B0-low.gif

Equation2 から、RSHUNT は 100mΩ と計算されます。ILOAD と RSHUNT によって生成される電圧降下は、LM3xxLV デバイスによって増幅され、約 0V～3.5V の出力電圧を生成します。LM3xxLV が必要な出力電圧を生成するために要求するゲインは、Equation3 で計算されます。

Equation3. GUID-DEB413BB-9F8B-46D5-947C-A6001295FF71-low.gif

Equation3 から、必要なゲインは 35V/V と計算されます。これは抵抗 RF と RG で設定します。LM3xxLV デバイスのゲインを 35V/V に設定するための抵抗 RF および RG のサイズはEquation4 で計算します。

Equation4. GUID-D7251FDF-DA40-4323-8F1C-8EDCDE56A220-low.gif