4 改訂履歴
Changes from H Revision (January 2018) to I Revision
- データシートのタイトルから「NRND」を削除Go
- NRDN 公開声明を削除Go
Changes from G Revision (January 2016) to H Revision
- データシートのタイトルを「LM5113 100V、1.2A/5A、エンハンスメント・モード GaN FET 用ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ」から「LM5113 80V、1.2V、5A、ハーフブリッジ GaN ドライバ」に変更Go
- データシートに「新規設計用に推奨されていません」の注意事項を追加Go
- 「概要」セクションに内容を追加Go
- 表紙のキー・グラフィックを変更 Go
- Removed HB to VDD parameter from the Absolute Maximum Ratings tableGo
- Changed the HS to VSS maximum from: 100 V to: 93 VGo
- Changed the HB to VSS maximum from: 107 V to: V(HS) + 7 VGo
- Changed the human-body model value from: ±2000 to: ±1000Go
- Changed HS maximum from: 100 V to: 90 V Go
- Changed the Functional Block DiagramGo
- Changed the last paragraph and add new images to the Input and Output section Go
- Added content to the Start-up and UVLO section Go
Changes from F Revision (April 2013) to G Revision
- 「ESD定格」の表、「機能説明」、「デバイスの機能モード」、「アプリケーションと実装」、「電源に関する推奨事項」、「レイアウト」、「デバイスとドキュメントのサポート」、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」を追加Go
Changes from E Revision (April 2013) to F Revision
- ナショナル セミコンダクターのデータシートのレイアウトを TI 形式に変更Go