JAJSDA3 June 2017 LM5122-Q1
PRODUCTION DATA.
ハイサイドNチャネルMOSFETデバイスの両端に抵抗-コンデンサのスナバ回路を配置すると、スイッチング・ノードのリンギングおよびスパイクが減少します。過剰なリンギングおよびスパイクは、誤動作を引き起こす可能性があり、出力電圧にノイズを結合させることもあります。スナバの値の選択には、実験的な手法が最適です。最初に、スナバ接続のリードが非常に短いことを確認します。抵抗値は、5~50Ωから開始します。スナバ・コンデンサの値を増やすとダンピングが増えますが、スナバでの損失も大きくなります。スナバ・コンデンサは、重負荷時にスイッチ波形のスパイクを十分にダンピングできる、最小の値から開始します。最適化されたレイアウトでは、スナバが必要ないこともあります。