JAJSOF4 May 2022 LM5143A-Q1
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
入力電圧 (VIN) | ||||||
ISHUTDOWN | シャットダウン・モード電流 | VEN1 = VEN2 = 0V | 3.3 | 7 | μA | |
ISTANDBY1 | スタンバイ電流、チャネル 1 | VEN1 = 5V、VEN2 = 0V、VVOUT1 = 3.3V、レギュレーション中、無負荷、スイッチングなし、DEMB = MODE = GND | 24 | μA | ||
ISTANDBY2 | スタンバイ電流、チャネル 2 | VEN1 = 0V、VEN2 = 5V、VVOUT2 = 5V、レギュレーション中、無負荷、スイッチングなし、DEMB = MODE = GND | 25 | μA | ||
ISTANDBY3 | スタンバイ電流、チャネル 1、超低 IQ モード | VEN1 = 5V、VEN2 = 0V、VVOUT1 = 3.3V、レギュレーション中、無負荷、スイッチングなし、DEMB = GND、RMODE = 10kΩ を GND との間に接続 | 15 | μA | ||
ISTANDBY4 | スタンバイ電流、チャネル 2、超低 IQ モード | VEN1 = 0V、VEN2 = 5V、VVOUT2 = 5V、レギュレーション中、無負荷、スイッチングなし、DEMB = GND、RMODE = 10kΩ を GND との間に接続 | 21 | μA | ||
バイアス・レギュレータ (VCC) | ||||||
VVCC-REG | VCC レギュレーション電圧 | IVCC = 100mA、VVCCX = 0V | 4.7 | 5 | 5.3 | V |
VCC-UVLO | VCC UVLO 立ち上がりスレッショルド | VVCC 立ち上がり | 3.2 | 3.3 | 3.4 | V |
VVCC-HYST | VCC UVLO ヒステリシス | 175 | mV | |||
IVCC-LIM | VCC のソース電流制限 | -250 | mA | |||
アナログ・バイアス (VDDA) | ||||||
VVDDA-REG | VDDA レギュレーション電圧 | 4.75 | 5 | 5.25 | V | |
VVDDA-UVLO | VDDA UVLO 立ち上がりスレッショルド | VVCC 立ち上がり、VVCCX = 0V | 3.1 | 3.2 | 3.3 | V |
VVDDA-HYST | VDDA UVLO ヒステリシス | VVCCX = 0V | 90 | mV | ||
RVDDA | VDDA 抵抗 | VVCCX = 0V | 20 | Ω | ||
外部バイアス (VCCX) | ||||||
VVCCX-ON | VCCX(ON) 立ち上がりスレッショルド | 4.1 | 4.3 | 4.4 | V | |
RVCCX | VCCX 抵抗 | VVCCX = 5V | 1.3 | Ω | ||
VVCCX-HYST | VCCX ヒステリシス電圧 | 130 | mV | |||
電流制限 (CS1、CS2) | ||||||
VCS1 | 電流制限スレッショルド 1 | CS1 と VOUT1 間を測定 | 66 | 73 | 82 | mV |
VCS2 | 電流制限スレッショルド 2 | CS2 と VOUT2 間を測定 | 66 | 73 | 82 | mV |
tCS-DELAY | 出力までの CS 遅延 | 40 | ns | |||
GCS | CS アンプのゲイン | 11.25 | 12 | 12.6 | V/V | |
ICS-BIAS | CS アンプ入力バイアス電流 | 15 | nA | |||
パワー・グッド (PG1、PG2) | ||||||
PG1UV | PG1 UV トリップ・レベル | レギュレーション電圧に応じて減少 | 89.5% | 92% | 94% | |
PG2UV | PG2 UV トリップ・レベル | レギュレーション電圧に応じて減少 | 89.5% | 92% | 94% | |
PG1OV | PG1 OV トリップ・レベル | レギュレーション電圧に応じて増加 | 107.5% | 110% | 112.5% | |
PG2OV | PG2 OV トリップ・レベル | レギュレーション電圧に応じて増加 | 107.5% | 110% | 112.5% | |
PG1UV-HYST | PG1 UV ヒステリシス | 3.4% | ||||
PG1OV-HYST | PG1 OV ヒステリシス | 3.4% | ||||
PG2UV-HYST | PG2 UV ヒステリシス | 3.4% | ||||
PG2OV-HYST | PG2 OV ヒステリシス | 3.4% | ||||
VOL-PG1 | PG1 電圧 | オープン・コレクタ、IPG1 = 2mA | 0.4 | V | ||
VOL-PG2 | PG2 電圧 | オープン・コレクタ、IPG2 = 2mA | 0.4 | V | ||
tPG-RISE-DLY | OV フィルタ時間 | VOUT 立ち上がり | 25 | μs | ||
tPG-FALL-DLY | UV フィルタ時間 | VOUT 立ち下がり | 22 | μs | ||
ハイサイド・ゲート・ドライバ (HO1、HO2、HOL1、HOL2) | ||||||
VHO-LOW | HO Low 状態出力電圧 | IHO = 100mA | 0.04 | V | ||
VHO-HIGH | HO High 状態出力電圧 | IHO = -100mA, VHO-HIGH = VHB - VHO | 0.09 | V | ||
tHO-RISE | HO 立ち上がり時間 (10% から 90% へ) | CLOAD = 2.7nF | 4 | ns | ||
tHO-FALL | HO 立ち下がり時間 (90% から 10% へ) | CLOAD = 2.7nF | 3 | ns | ||
IHO-SRC | HO ピーク・ソース電流 | VHO = VSW = 0V、VHB = 5V、VVCCX = 5V | 3.25 | A | ||
IHO-SINK | HO ピーク・シンク電流 | VVCCX = 5V | 4.25 | A | ||
VBT-UV | BOOT UVLO | VVCC 立ち下がり | 2.4 | V | ||
VBT-UV-HYS | BOOT UVLO ヒステリシス | 113 | mV | |||
IBOOT | BOOT 静止時電流 | 1.2 | μA | |||
ローサイド・ゲート・ドライバ (LO1、LO2、LOL1、LOL2) | ||||||
VLO-LOW | LO Low 状態出力電圧 | ILO = 100mA | 0.04 | V | ||
VLO-HIGH | LO High 状態出力電圧 | ILO = -100mA | 0.07 | V | ||
tLO-RISE | LO 立ち上がり時間 (10% から 90% へ) | CLOAD = 2.7nF | 4 | ns | ||
tLO-FALL | LO 立ち下がり時間 (90% から 10% へ) | CLOAD = 2.7nF | 3 | ns | ||
ILO-SOURCE | LO ピーク・ソース電流 | VHO = VSW = 0V、VHB = 5V、VVCCX = 5V | 3.25 | A | ||
ILO-SINK | LO ピーク・シンク電流 | VVCCX = 5V | 4.25 | A | ||
再起動 (RES) | ||||||
IRES-SRC | RES 電流ソース | 20 | μA | |||
VRES-TH | RES スレッショルド | 1.2 | V | |||
HICCYCLES | ヒカップ・モード障害 | 512 | サイクル | |||
RRES-PD | RES プルダウン抵抗 | 5.5 | Ω | |||
出力電圧設定ポイント (VOUT1、VOUT2) | ||||||
VOUT33 | 3.3V の出力電圧設定ポイント | FB = VDDA、VIN = 3.5V~65V | 3.267 | 3.3 | 3.335 | V |
VOUT50 | 5V の出力電圧設定ポイント | FB = AGND、VIN = 5.5V~65V | 4.95 | 5 | 5.05 | V |
フィードバック (FB1、FB2) | ||||||
VFB-3V3-SEL | VOUT 選択スレッショルド 3.3V 出力 | 4.6 | V | |||
RFB-5V | 5V 出力の場合の AGND への抵抗 FB | VMODE = 0V または RMODE = 10kΩ | 500 | Ω | ||
RFB-EXTRES | テブナンの等価抵抗 | VMODE = 0V または RMODE = 10kΩ、VFB < 2V | 5 | kΩ | ||
VFB2-LOW | 1 次モード選択ロジック・レベル Low | MODE = VDDA | 0.8 | V | ||
VFB2-HIGH | 1 次モード選択ロジック・レベル High | MODE = VDDA | 2 | V | ||
VFB1-LOW | 2 次モードでのダイオード・エミュレーション・ロジック・レベル Low | MODE = FB2 = VDDA | 0.8 | V | ||
VFB1-HIGH | 2 次モードでの FPWM ロジック・レベル High | MODE = FB2 = VDDA | 2 | V | ||
VFB-REG | レギュレートされたフィードバック電圧 | 0.594 | 0.6 | 0.606 | V | |
エラー・アンプ (COMP1、COMP2) | ||||||
gm1 | EA 相互コンダクタンス | FB から COMP、AGND までの間に RMODE < 5kΩ | 1020 | 1200 | μs | |
gm2 | EA 相互コンダクタンス、超低 IQ モード | MODE = GND、RMODE = 10kΩ | 65 | μs | ||
IFB | 誤差アンプ入力バイアス電流 | 30 | nA | |||
VCOMP-CLMP | COMP クランプ電圧 | VFB = 0V | 3.3 | V | ||
ICOMP-SECOND | COMP リーケージ、2 次モード | VCOMP = 1V、MODE = FB2 = VDDA | 10 | nA | ||
ICOMP-INTLV | COMP2 リーケージ、インターリーブ・モード | VCOMP = 1V、MODE = VDDA、VFB2 = 0V | 10 | nA | ||
ICOMP-SRC1 | EA ソース電流 | VCOMP = 1V、VFB = 0.4V、VMODE = 0V | 190 | μA | ||
ICOMP-SINK1 | EA シンク電流 | VCOMP = 1V、VFB = 0.8V、VMODE = 0V | 165 | μA | ||
ICOMP-SRC2 | EA ソース電流、超低 IQ モード | VCOMP = 1V、VFB = 0.4V、AGND までの間に RMODE = 10kΩ |
10 | μA | ||
ICOMP-SINK2 | EA シンク電流、超低 IQ モード | VCOMP = 1V、VFB = 0.8V、AGND までの間に RMODE = 10kΩ |
12 | μA | ||
VSS-OFFSET | VFB = 0V の場合の EA SS オフセット | VCOMP > 300mV になるまで VSS は上昇 | 36 | mV | ||
アダプティブ・デッドタイム制御 | ||||||
VGS-DET | VGS 検出スレッショルド | VGS 立ち下がり、無負荷 | 2.5 | V | ||
tDEAD1 | HO オフから LO オンのデッドタイム | 22 | ns | |||
tDEAD2 | LO オフから HO オンのデッドタイム | 22 | ns | |||
ダイオード・エミュレーション (DEMB) | ||||||
VDEMB-LOW | DEMB 入力の Low スレッショルド | 0.8 | V | |||
VDEMB_Rising | DEMB 入力の High スレッショルド | 2 | V | |||
VZC-SW | ゼロクロスのスレッショルド | VDEMB = 0V | -6 | mV | ||
VZC-SS | ゼロクロスのスレッショルドをソフトスタート | DEMB = VDDA、 最初の HO パルス後に 50 SW サイクル |
-5.4 | mV | ||
VZC-DIS | ゼロクロスのスレッショルドをディセーブル | DEMB = VDDA、 最初の HO パルス後に 1000 SW サイクル |
200 | mV | ||
イネーブル (EN1、EN2) | ||||||
VEN-LOW | EN1、EN2 Low スレッショルド | VVCCX = 0V | 0.8 | V | ||
VEN-HIGH-TH | EN1、EN2 High スレッショルド | VVCCX = 0V | 2 | V | ||
IEN-LEAK | EN1、EN2 リーク電流 | EN1、EN2 ロジック入力のみ | 0.05 | μA | ||
スイッチング周波数 (RT) | ||||||
VRT | RT のレギュレーション電圧 | 10kΩ < RRT < 220kΩ | 0.8 | V | ||
モード | ||||||
RMODE-HIGH | 超低 IQ の場合、AGND との間に入れる抵抗 | 5 | kΩ | |||
RMODE-LOW | 通常の IQ の場合、AGND との間に入れる抵抗 | 0.5 | kΩ | |||
VMODE-LOW | 非インターリーブ・モード入力の Low スレッショルド | 0.8 | V | |||
VMODE-HIGH | インターリーブ・モード入力の High スレッショルド | 2 | V | |||
同期入力 (SYNCIN) | ||||||
VDEMB-LOW | DEMB 入力の Low スレッショルド | 0.8 | V | |||
VDEMB-HIGH | DEMB 入力の High スレッショルド | 2 | V | |||
tSYNC-MIN | DEMB 最小パルス幅 | VMODE = 0V または RMODE = 10kΩ | 20 | 250 | ns | |
fSYNCIN | 外部 SYNC 周波数範囲 | VIN = 8V~18V、RRT で設定される公称周波数の割合 (%) | -20% | 20% | ||
tSYNCIN-HO1 | DEMB の立ち上がりから HO1 立ち上がりエッジまでの遅延 | 100 | ns | |||
tSYNCIN-SECOND | DEMB の立ち下がりエッジから HO2 の立ち上がりエッジまでの遅延 | 2 次モード、MODE = FB2 = VDDA | 100 | ns | ||
tDEMB-FILTER | DEMB Low からダイオード・エミュレーション・イネーブルまでの遅延 | VMODE = 0V または RMODE = 10kΩ | 15 | 50 | μs | |
tAWAKE-FILTER | スタンバイ状態を維持するための最大 SYNC 期間 | VEN1 = VEN2 = 0V | 27 | μs | ||
同期出力 (SYNCOUT) | ||||||
VSYNCOUT-LO | SYNCOUT の Low 状態電圧 | ISYNCOUT = 16mA | 0.8 | V | ||
fSYNCOUT | SYNCOUT 周波数 | MODE = FB2 = VDDA | 0 | Hz | ||
tSYNCOUT1 | HO2 の立ち上がりエッジから SYNCOUT の立ち上がりエッジまでの遅延 | VDEMB = 0V、TS = 1/fSW、fSW は RRT = 220kΩ で設定 | 2.5 | μs | ||
tSYNCOUT2 | HO2 の立ち上がりエッジから SYNCOUT の立ち下がりエッジまでの遅延 | VDEMB = 0V、TS = 1/fSW、fSW は RRT = 220kΩ で設定 | 7.5 | μs | ||
ディザー (DITH) | ||||||
IDITH | ディザー・ソースとシンク電流 | 21 | μA | |||
VDITH-HIGH | ディザー High レベル・スレッショルド | 1.25 | V | |||
VDITH-LOW | ディザー Low レベル・スレッショルド | 1.15 | V | |||
ソフトスタート (SS1、SS2) | ||||||
ISS | ソフトスタート電流 | VMODE = 0V | 16 | 21 | 28 | μA |
RSS-PD | ソフトスタート・プルダウン抵抗 | VMODE = 0V | 3 | Ω | ||
VSS-FB | SS から FB へのクランプ電圧 | VCS - VVOUT > 73mV | 130 | mV | ||
ISS-SECOND | SS リーケージ、2 次モード | VSS = 0.8V、MODE = FB2 = VDDA | 36 | nA | ||
ISS-INTLV | SS2 リーケージ、インターリーブ・モード | VSS = 0.8V、MODE = VDDA、VFB2 = 0V | 35 | nA | ||
サーマル・シャットダウン | ||||||
TSHD | サーマル・シャットダウン | 175 | ℃ | |||
TSHD-HYS | サーマル・シャットダウン・ヒステリシス | 15 | ℃ |