JAJSLG4 december   2022 LM7480

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Device Comparison Table
  7. 6 Pin Configuration and Functions
  8. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  9. 8 Parameter Measurement Information
  10. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Charge Pump
      2. 9.3.2 Dual Gate Control (DGATE, HGATE)
        1. 9.3.2.1 Reverse Battery Protection (A, C, DGATE)
        2. 9.3.2.2 Load Disconnect Switch Control (HGATE, OUT)
      3. 9.3.3 Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
      4. 9.3.4 Low Iq Shutdown and Under Voltage Lockout (EN/UVLO)
    4. 9.4 Device Functional Modes
    5. 9.5 Application Examples
      1. 9.5.1 Redundant Supply OR-ing with Inrush Current Limiting, Overvoltage Protection and ON/OFF Control
      2. 9.5.2 Ideal Diode With Unsuppressed Load Dump Protection
  11. 10Applications and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
      1. 10.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
      2. 10.2.2 Automotive Reverse Battery Protection
      3. 10.2.3 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.3.1 Design Considerations
        2. 10.2.3.2 Charge Pump Capacitance VCAP
        3. 10.2.3.3 Input and Output Capacitance
        4. 10.2.3.4 Hold-Up Capacitance
        5. 10.2.3.5 Overvoltage Protection and Battery Monitor
      4. 10.2.4 MOSFET Selection: Blocking MOSFET Q1
      5. 10.2.5 MOSFET Selection: Hot-Swap MOSFET Q2
      6. 10.2.6 TVS Selection
      7. 10.2.7 Application Curves
    3. 10.3 200-V Unsuppressed Load Dump Protection Application
      1. 10.3.1 Design Requirements for 200-V Unsuppressed Load Dump Protection
      2. 10.3.2 Design Procedure
        1. 10.3.2.1 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
        2. 10.3.2.2 Input and Output Capacitance
        3. 10.3.2.3 VS Capacitance, Resistor, and Zener Clamp
        4. 10.3.2.4 Overvoltage Protection and Output Clamp
        5. 10.3.2.5 MOSFET Q1 Selection
        6. 10.3.2.6 Input TVS Selection
        7. 10.3.2.7 MOSFET Q2 Selection
      3. 10.3.3 Application Curves
    4. 10.4 Do's and Don'ts
    5. 10.5 Power Supply Recommendations
      1. 10.5.1 Transient Protection
      2. 10.5.2 TVS Selection for 12-V Battery Systems
      3. 10.5.3 TVS Selection for 24-V Battery Systems
    6. 10.6 Layout
      1. 10.6.1 Layout Guidelines
      2. 10.6.2 Layout Example
  12. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 Trademarks
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

LM7480 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V～65V と広いため、12V および 24V 入力電源システムを保護および制御できます。このデバイスは最低 -65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変の過電圧カットオフ保護機能があります。LM7480 には、LM74800 と LM74801 の 2 つのバリエーションがあります。LM74800 は、リニア・レギュレーションおよびコンパレータ方式を使用した逆電流ブロックを採用しています。一方、LM74801 はコンパレータに基づく方式をサポートしています。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM7480 は 65V の最大電圧定格を持っています。本デバイスと外付け MOSFET を共通ソース・トポロジに構成することで、24V バッテリ・システムの 200V 非抑制負荷ダンプのような大きな過電圧過渡からも負荷を保護できます。

パッケージ情報
部品番号パッケージ (1)本体サイズ (公称)
LM74800WSON (12)3.00mm × 3.00mm
LM74801
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-20221206-SS0I-G6VC-D2QN-DKVRCP8KZNHM-low.svgスイッチ出力を備えた理想ダイオード
GUID-20221206-SS0I-VMXS-D3BV-LLLJ77RZ8VG9-low.svg200V 負荷ダンプ保護機能を備えた理想ダイオード