JAJSOX6
October 2023
LM74930-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Charge Pump
7.3.2
Dual Gate Control (DGATE, HGATE)
7.3.2.1
Load Disconnect Switch Control (HGATE, OUT)
7.3.2.2
Reverse Battery Protection (A, C, DGATE)
7.3.3
Overcurrent Protection (CS+, CS-, ILIM, IMON, TMR)
7.3.4
Overcurrent Protection with Circuit Breaker (ILIM, TMR)
7.3.5
Overcurrent Protection With Latch-Off
7.3.6
Short-Circuit Protection (ISCP)
7.3.6.1
Device Wake-Up With Output Short-Circuit Condition
7.3.7
Analog Current Monitor Output (IMON)
7.3.8
Overvoltage and Undervoltage Protection (OV, UVLO, OVCLAMP)
7.3.9
Disabling Reverse Current Blocking Functionality (MODE)
7.3.10
Device Functional Modes
7.3.10.1
Low Quiescent Current Shutdown Mode (EN)
8
Applications and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application: 200-V Unsuppressed Load Dump Protection Application
8.2.1
Design Requirements for 200-V Unsuppressed Load Dump Protection
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
VS Capacitance, Resistor R1 and Zener Clamp (DZ)
8.2.2.2
Charge Pump Capacitance VCAP
8.2.2.3
Input and Output Capacitance
8.2.2.4
Overvoltage and Undervoltage Protection Component Selection
8.2.2.5
Selection of Scaling Resistor (RSET) and Short-Circuit Protection Setting Resistor (RSCP)
8.2.2.6
Overcurrent Limit (ILIM), Circuit Breaker Timer (TMR), and Current Monitoring Output (IMON) Selection
8.2.2.7
Selection of Current Sense Resistor, RSNS
8.2.2.8
Hold-Up Capacitance
8.2.2.9
MOSFET Q1 Selection
8.2.2.10
MOSFET Q2 Selection
8.2.2.11
Input TVS Selection
8.2.3
Application Curves
8.3
Best Design Practices
8.4
Power Supply Recommendations
8.4.1
Transient Protection
8.4.2
TVS Selection for 12-V Battery Systems
8.4.3
TVS Selection for 24-V Battery Systems
8.5
Layout
8.5.1
Layout Guidelines
8.5.2
Layout Example
9
Device and Documentation Support
9.1
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
9.2
サポート・リソース
9.3
Trademarks
9.4
静電気放電に関する注意事項
9.5
用語集
10
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
RGE|24
MPQF124G
サーマルパッド・メカニカル・データ
RGE|24
QFND703
発注情報
jajsox6_oa
1
特長
車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
デバイス温度グレード 1:
動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
4V~65V の入力範囲
最低 –65V までの逆入力保護
共通ソース構成で外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
アノードからカソードへ 10.5mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
高速 DGATE ターンオフ応答 (0.5μs) の低逆電流検出スレッショルド (-10.5mV)
18mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
可変過電流および短絡保護
精度 10% (IMON) のアナログ電流モニタ出力
可変過電圧および低電圧保護
低シャットダウン電流 (EN = Low):2.5µA
MODE ピンにより双方向電流フローが可能 (MODE = Low)
適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
省スペースの 24 ピン VQFN パッケージで供給