JAJSQZ7 November   2024 LMG2640

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 6.1 GaN Power FET Switching Parameters
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  GaN Power FET Switching Capability
      2. 7.3.2  Current-Sense Emulation
      3. 7.3.3  Bootstrap Diode Function
      4. 7.3.4  Input Control Pins (EN, INL, INH)
      5. 7.3.5  INL - INH Interlock
      6. 7.3.6  AUX Supply Pin
        1. 7.3.6.1 AUX Power-On Reset
        2. 7.3.6.2 AUX Under-Voltage Lockout (UVLO)
      7. 7.3.7  BST Supply Pin
        1. 7.3.7.1 BST Power-On Reset
        2. 7.3.7.2 BST Under-Voltage Lockout (UVLO)
      8. 7.3.8  Over-Current Protection
      9. 7.3.9  Over-Temperature Protection
      10. 7.3.10 Fault Reporting
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
        1. 8.4.1.1 Solder-Joint Stress Relief
        2. 8.4.1.2 Signal-Ground Connection
        3. 8.4.1.3 CS Pin Signal
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • RRG|40
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
  • 105mΩ ローサイドおよびハイサイド GaN FET
  • 伝搬遅延が小さく、内蔵ゲート ドライバ
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド / ハイサイド ゲート ドライブ インターロック
  • ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタ
  • スマート スイッチ付きブートストラップ ダイオード機能
  • ハイサイドの起動:8µs 未満
  • ローサイド / ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX アイドル静止電流:250μA
  • AUX スタンバイ静止電流:50μA
  • BST アイドル静止電流:65μA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧:26 V
  • デュアル サーマル パッド付き 9mm × 7mm QFN パッケージ