DATA SHEET
LMG342xR050 ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、600V、50mΩ の GaN FET
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1 特長
- ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
- ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
- 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
- CMTI:200V/ns
- 3.6MHz のスイッチング周波数
- 20V/ns~150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V~18V 電源で動作
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハード・スイッチング中のサージ耐性:720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 高度な電源管理
- デジタル温度 PWM 出力
- 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 (LMG3425R050)