3 概要

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R050 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、15V/ns ～ 150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度なパワー・マネージメント機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

パッケージ情報

部品番号	パッケージ ⁽¹⁾	本体サイズ (公称)
LMG3522R050	VQFN (52)	12.00mm × 12.00mm

(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

概略ブロック図

100V/ns を超えるスイッチング性能

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

サーマルパッド・メカニカル・データ

発注情報

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