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  • LMG3622 650V 120mΩ GaN FET、ドライバと電流検出エミュレーションを内蔵

    • JAJSR78A September   2023  – November 2023 LMG3622

      PRODUCTION DATA  

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  • LMG3622 650V 120mΩ GaN FET、ドライバと電流検出エミュレーションを内蔵
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
    1. 6.1 GaN Power FET Switching Parameters
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 GaN Power FET Switching Capability
      2. 7.3.2 Turn-On Slew-Rate Control
      3. 7.3.3 Current-Sense Emulation
      4. 7.3.4 Input Control Pins (EN, IN)
      5. 7.3.5 AUX Supply Pin
        1. 7.3.5.1 AUX Power-On Reset
        2. 7.3.5.2 AUX Under-Voltage Lockout (UVLO)
      6. 7.3.6 Overcurrent Protection
      7. 7.3.7 Overtemperature Protection
      8. 7.3.8 Fault Reporting
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Turn-On Slew-Rate Design
        2. 8.2.2.2 Current-Sense Design
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
        1. 8.4.1.1 Solder-Joint Stress Relief
        2. 8.4.1.2 Signal-Ground Connection
        3. 8.4.1.3 CS Pin Signal
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  13. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • REQ|38
    • MPQF705A
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
  • jajsr78a_oa
search No matches found.
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Data Sheet

LMG3622 650V 120mΩ GaN FET、ドライバと電流検出エミュレーションを内蔵

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 650V 120mΩ GaN パワー FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート ドライバ
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • サイクル単位の過電流保護
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX 静止電流：240μA
  • AUX スタンバイ静止電流：50μA
  • 電源および入力ロジック ピン最大電圧：26V
  • サーマル パッド付き 8mm × 5.3mm QFN パッケージ

2 アプリケーション

  • AC/DC アダプタおよびチャージャ
  • AC/DC USB 壁コンセント電源
  • AC/DC 補助電源
  • モバイル向け充電器の設計
  • USB 電源コンセント
  • 補助電源









GUID-20230816-SS0I-BRSR-KZ7X-853VDQXTFDQ9-low.svg

概略ブロック図

3 概要

LMG3622 は、スイッチ・モード電源アプリケーション向けの 650V 120mΩ GaN パワー FET です。LMG3622 は、8mm × 5.3mm の QFN パッケージに GaN FET とゲート・ドライバを内蔵することで、設計の簡素化と部品点数の削減を実現しています。

プログラマブルなターンオン・スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサーマル・パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

LMG3622 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト・モード動作に対応しています。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱保護が搭載されています。過熱保護は、オープン・ドレインの FLT ピンで通知されます。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ(1) パッケージ・サイズ (2)
LMG3622 REQ (VQFN、38) 8mm × 5.3mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ・サイズ (長さ×幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。

GUID-20230816-SS0I-XSJ1-PSMB-XN7ZHC9JTSRX-low.jpg

38 ピン VQFN

4 Pin Configuration and Functions

GUID-20220620-SS0I-F02M-DN9M-NR8NZLK904TW-low.svg Figure 4-1 REQ Package, 38-Pin VQFN (Top View)
Table 4-1 Pin Functions
PIN TYPE(1) DESCRIPTION
NAME NO.
NC1 1, 15 NC Used to anchor QFN package to PCB. Pins must be soldered to PCB landing pads. The PCB landing pads are non-solder mask defined pads and must not be physically connected to any other metal on the PCB. Internally connected to D.
D 2-14 P GaN FET drain. Internally connected to NC1.
NC2 16, 20, 38 NC Used to anchor QFN package to PCB. Pins must be soldered to PCB landing pads. The PCB landing pads are non-solder mask defined pads and must not be physically connected to any other metal on the PCB. Internally connected to AGND, S and, PAD.
S 17-19, 21-29 P GaN FET source. Internally connected to AGND, PAD, and NC2.
EN 30 I Enable. Used to toggle between active and standby modes. The standby mode has reduced quiescent current to support converter light load efficiency targets. There is a forward based ESD diode from EN to AUX so avoid driving EN higher than AUX.
IN 31 I Gate-drive control input. There is a forward based ESD diode from IN to AUX so avoid driving IN higher than AUX.
AGND 32 GND Analog ground. Internally connected to S, PAD, and NC2.
CS 33 O Current-sense emulation output. Outputs scaled replica of the GaN FET current. Feed output current into a resistor to create a current sense voltage signal. The resistor should be referenced to the power supply controller IC local ground. This function replaces the external current sense resistor that is used in series with the FET source.
NC3 34 NC Used to anchor QFN package to PCB. Pin must be soldered to a PCB landing pad. The PCB landing pad is non-solder mask defined pads and must not be physically connected to any other metal on the PCB. Pin not connected internally.
FLT 35 O Active-low fault output. Open-drain output that asserts during overtemperature protection.
AUX 36 P Auxiliary voltage rail. Device supply voltage. Connect a local bypass capacitor between AUX and AGND.
RDRV 37 I Drive strength control resistor. Set a resistance between RDRV and AGND to program the GaN FET turn-on slew rate.
PAD — — Thermal pad. Internally connected to S, AGND, and NC2. All the S current may be conducted with PAD (PAD = S).
(1) I = input, O = output, I/O = input or output, GND = ground, P = power, NC = no connect.

 
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