LMG365xR025 ドライバと保護機能を内蔵した 650V、25mΩ GaN FET

このリソースの元の言語は英語です。翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

最新の英語版をダウンロード

1 特長

ゲートドライバ内蔵、650V、25mΩ の GaN 電力 FET
- >200V/ns の FET ホールドオフ
- 調整可能なスルーレートによるスイッチングパフォーマンスの最適化と EMI の軽減
  - 10V/ns から 100V/ns の有効化スルーレート
  - 10V/ns からフルスピードの有効化スルーレート
- 電源ピンと入力ロジックピンの 9V から 26V の電圧範囲で動作します
堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と応答時間 300ns 未満のラッチ付き短絡保護
- ハードスイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
高度なパワーマネージメント
- LMG3656R025 は、ソフトスイッチングコンバータとを利用可能にするゼロ電圧検出機能 (ZVD) を備えています。
- LMG3657R025 は、ソフトスイッチングコンバータとを利用可能にするゼロ電流検出機能 (ZCD) を備えています。
サーマルパッド付き 9.8mm × 11.6mm TOLL パッケージ

2 アプリケーション

商用ネットワークとサーバーの電源
商用テレコム整流器
ソーラーインバータと産業用モータードライブ
無停電電源

概略ブロック図

3 概要

ドライバと保護機能を内蔵した LMG365xR025 GaN FET は、スイッチモードパワーコンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

調整可能なゲートドライブ強度により、独立な有効化と最大限無効化スルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。ターンオンのスルーレートは 10V/ns から 100V/ns に変化させることができますが、ターンオフのスルーレート、負荷電流の大きさに応じて 10V/ns から最大値に制限することができます。保護機能として、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、短絡保護、および過熱保護が搭載されています。LMG3651R025 は、外部デジタルアイソレータへの電力供給に使用できる LDO5V ピンで 5V LDO 出力を供給します。LMG3656R025 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。LMG3657R025 は、ドレイン-ソース間電流が負であり、ゼロクロスポイント検出時に Low に遷移すると ZCD ピンを High に設定するゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えています。

パッケージ情報

部品番号	パッケージ ⁽¹⁾	パッケージサイズ⁽²⁾
LMG365xR025	KLA (TOLL、9)	9.8 mm×11.6 mm

(1) 供給されているすべてのパッケージについては、セクション 12 を参照してください。

(2) パッケージサイズ (長さ × 幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。

製品情報

部品番号 ⁽¹⁾	LDO 5V 出力	ゼロ電圧検出機能	ゼロ電流検出機能
LMG3650R025	—	—	—
LMG3651R025	あり	—	—
LMG3656R025	—	あり	—
LMG3657R025	—	—	あり

(1) 製品比較表を参照してください。