JAJSDN6C December   2016  – December 2017 LMK60E0-156M , LMK60E0-212M , LMK60E2-100M , LMK60E2-125M , LMK60E2-156M , LMK60I2-100M , LMK60I2-322M

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics - Power Supply
    6. 6.6  LVPECL Output Characteristics
    7. 6.7  LVDS Output Characteristics
    8. 6.8  HCSL Output Characteristics
    9. 6.9  OE Input Characteristics
    10. 6.10 Frequency Tolerance Characteristics
    11. 6.11 Power-On/Reset Characteristics (VDD)
    12. 6.12 PSRR Characteristics
    13. 6.13 PLL Clock Output Jitter Characteristics
    14. 6.14 Additional Reliability and Qualification
  7. Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Device Output Configurations
  8. Power Supply Recommendations
  9. Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
      1. 9.1.1 Ensuring Thermal Reliability
      2. 9.1.2 Best Practices for Signal Integrity
      3. 9.1.3 Recommended Solder Reflow Profile
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 コミュニティ・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 Glossary
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • SIA|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

デバイスおよびドキュメントのサポート

ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

コミュニティ・リソース

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    TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E(Engineer-to-Engineer)コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
    設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。

商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

静電気放電に関する注意事項

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これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

Glossary

SLYZ022TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.