JAJSJO8C March   2020  – January 2021 LMQ61460-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要 (続き)
  6. 6 デバイス比較表
  7. 7 ピン構成および機能
  8. 8 仕様
    1. 8.1 絶対最大定格
    2. 8.2 ESD 定格
    3. 8.3 推奨動作条件
    4. 8.4 熱に関する情報
    5. 8.5 電気的特性
    6. 8.6 タイミング特性
    7. 8.7 システム特性
    8. 8.8 代表的特性
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1  EN/SYNC による有効化と VIN UVLO
      2. 9.3.2  EN/SYNC ピンによる同期
      3. 9.3.3  可変スイッチング周波数
      4. 9.3.4  クロックのロック
      5. 9.3.5  PGOOD 出力動作
      6. 9.3.6  内部 LDO、VCC UVLO、BIAS 入力
      7. 9.3.7  ブートストラップ電圧と VCBOOT-UVLO (CBOOT ピン)
      8. 9.3.8  調整可能な SW ノードのスルーレート
      9. 9.3.9  スペクトラム拡散
      10. 9.3.10 ソフトスタートとドロップアウトからの回復
      11. 9.3.11 出力電圧設定
      12. 9.3.12 過電流および短絡保護
      13. 9.3.13 サーマル・シャットダウン
      14. 9.3.14 入力電源電流
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 シャットダウン・モード
      2. 9.4.2 スタンバイ・モード
      3. 9.4.3 アクティブ・モード
        1. 9.4.3.1 CCM モード
        2. 9.4.3.2 自動モード – 軽負荷動作
          1. 9.4.3.2.1 ダイオード・エミュレーション
          2. 9.4.3.2.2 周波数低減
        3. 9.4.3.3 FPWM モード - 軽負荷動作
        4. 9.4.3.4 最小オン時間 (高入力電圧) での動作
        5. 9.4.3.5 ドロップアウト
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
        1. 10.2.2.1  スイッチング周波数の選択
        2. 10.2.2.2  出力電圧の設定
        3. 10.2.2.3  インダクタの選択
        4. 10.2.2.4  出力コンデンサの選択
        5. 10.2.2.5  入力コンデンサの選択
        6. 10.2.2.6  ブート・コンデンサ
        7. 10.2.2.7  ブート抵抗
        8. 10.2.2.8  VCC
        9. 10.2.2.9  BIAS
        10. 10.2.2.10 CFF と RFF の選択
        11. 10.2.2.11 外部 UVLO
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 グランドと熱に関する考慮事項
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 サポート・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 用語集
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.3.8 調整可能な SW ノードのスルーレート

効率の観点から EMI を最適化できるように、ハイサイド FET のドライバの駆動強度を電源投入時に抵抗で選択できるように本デバイスは設計されています。#T4915986-59 を参照してください。RBOOT ピンに流れ込む電流 (点線のループ) の大きさに応じて拡大された電流が CBOOT から流れ込みます (破線)。この電流は、ハイサイド・パワー MOSFET をオンさせるために使われます。

GUID-90DD3C33-1103-40EE-9738-A47F9403BD86-low.gif図 9-7 RBOOT の機能を示す概略回路図

RBOOT を CBOOT に短絡させると、立ち上がり時間が非常に短くなります。その結果、SW ノードの高調波は 150MHz 超まで「ロール・オフ」しません。100Ω のブート抵抗は約 2.7ns の SW ノード立ち上がり時間に相当するため、この 100Ω のブート抵抗によって SW ノードのオーバーシュートは実質的に解消されます。立ち上がり時間を遅くすることで、ほとんどの条件下で SW ノードの高調波のエネルギーを 100MHz 付近でロール・オフさせることができます。高調波をロール・オフさせることで、多くのアプリケーションでシールドとコモン・モード・チョークを不要にできます。入力電圧の増加と共に立ち上がり時間が増加することに注意します。また、RBOOT 抵抗の増加と共に蓄積電荷に起因するノイズは大幅に低減されます。スイッチングのスルーレートを下げると、効率も下がります。