JAJSUP4F March   2013  – May 2024 LMT86

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 精度特性
    6. 6.6 電気的特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 LMT86 の伝達関数
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 取り付けと熱伝導率
      2. 7.4.2 出力ノイズに関する検討事項
      3. 7.4.3 容量性負荷
      4. 7.4.4 出力電圧シフト
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 ADC への接続
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 シャットダウンによる消費電力の低減
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  10. 9 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  13. 12改訂履歴
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)(2)LMT86LMT86LPLMT86LPG単位
DCK (SOT/SC70)LP/LPM (TO-92)LPG (TO-92S)
5 ピン3 ピン3 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗(3)(4)275167130.4℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗849064.2℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗56146106.2℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ1.23514.6℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ55146106.2℃/W
(1) 自己発熱と熱応答時間については、「取り付けと熱伝導率」セクションを参照してください。
(2) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。
(3) 自然対流での接合部から周囲への熱抵抗値 (RθJA) は、JESD51-2 に記載された環境における JESD51-7 に規定された JEDEC 規格高誘電率基板でのシミュレーションで求めています。露出パッド パッケージは、PCB にサーマル ビアを使用しているものと仮定します (JESD51-5 に準拠)。
(4) 自己発熱による出力の変動は、内部消費電力に熱抵抗値を乗じて計算できます。