JAJSEA8I December 2017 – July 2024 LMV321A , LMV324A , LMV358A
PRODUCTION DATA
負荷電流 (ILOAD) により、シャント抵抗 (RSHUNT) の両端で電圧降下が発生します。負荷電流は 0A~1A に設定されます。最大負荷電流時にシャント電圧を 100mV 未満に維持するため、最大のシャント抵抗は 式 2 を使用して計算されます。
式 2 から、RSHUNT は 100mΩ と計算されます。ILOAD と RSHUNT によって発生する電圧降下は、LMV3xxA によって増幅され、約 0V~4.9V の出力電圧を生成します。LMV3xxA が必要な出力電圧を生成するために要求されるゲインは、式 3 で計算されます。
式 3 から、必要なゲインは 49V/V と計算されます。これは抵抗 RF と RG で設定します。LMV3xxA のゲインを 49V/V に設定するための抵抗 RF と RG のサイズは、式 4 で計算します。
RF に 57.6kΩ、RG に 1.2kΩを選択すると、組み合わせで 49V/V に等しくなります。図 7-1 に示す回路で測定された伝達関数を、図 7-2 に示します。ゲインは、帰還抵抗とゲイン抵抗の関数にすぎないことに注意してください。このゲインは抵抗の比を変化させることで調整され、実際の抵抗値は設計者が設定しようとするインピーダンス・レベルによって決定されます。インピーダンス・レベルによって、電流ドレイン、浮遊容量の影響、その他いくつかの動作が決まります。最適なインピーダンスの選択はシステムごとに異なるので、システムのパラメータに合わせて最適なインピーダンスを選択する必要があります。