JAJS568K August   2000  – August 2020 LMV321-N , LMV321-N-Q1 , LMV324-N , LMV324-N-Q1 , LMV358-N , LMV358-N-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要 (続き)
  6. 6 ピン構成および機能
    1.     7
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格 - 商業用
    3. 7.3  ESD 定格 - 車載用
    4. 7.4  推奨動作条件
    5. 7.5  熱に関する情報 - 商業用
    6. 7.6  熱に関する情報 - 車載用
    7. 7.7  2.7V DC の電気的特性
    8. 7.8  2.7V AC の電気的特性
    9. 7.9  5V DC の電気的特性
    10. 7.10 5V AC の電気的特性
    11. 7.11 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
      1. 8.1.1 LMV321-N/LMV358-N/LMV324-N の利点
        1. 8.1.1.1 サイズ
        2. 8.1.1.2 シグナル・インテグリティ
        3. 8.1.1.3 簡単な基板レイアウト
        4. 8.1.1.4 低い電源電流
        5. 8.1.1.5 低い電源電圧
        6. 8.1.1.6 レール・ツー・レール出力
        7. 8.1.1.7 入力にグランドを含む
        8. 8.1.1.8 使いやすさとクロスオーバー歪み
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 容量性負荷の許容誤差
      2. 8.3.2 入力バイアス電流のキャンセル
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1  単純なローパス・アクティブ・フィルタ
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2  差動アンプ
      3. 9.2.3  計測回路
        1. 9.2.3.1 3 オペアンプの計測アンプ
        2. 9.2.3.2 2 オペアンプの計測アンプ
        3. 9.2.3.3 単一電源の反転アンプ
      4. 9.2.4  サレンキー型の 2 次アクティブ・ローパス・フィルタ
        1. 9.2.4.1 詳細な設計手順
      5. 9.2.5  2 次ハイパス・フィルタ
      6. 9.2.6  状態可変フィルタ
        1. 9.2.6.1 詳細な設計手順
      7. 9.2.7  パルス・ジェネレータと発振器
      8. 9.2.8  電流のソースとシンク
        1. 9.2.8.1 固定電流ソース
        2. 9.2.8.2 高コンプライアンス電流シンク
      9. 9.2.9  パワー・アンプ
      10. 9.2.10 LED ドライバ
      11. 9.2.11 ヒステリシス付きのコンパレータ
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 関連リンク
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 Support Resources
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 概要 (続き)

LMV321-N は省スペースの 5 ピン SC70 で供給され、5 ピン SOT-23 の約半分のサイズです。パッケージが小さいため、プリント基板のスペースを節約でき、小型の携帯電子機器の設計が可能になります。また、デバイスを信号源に近接して配置できるため、ノイズを拾いにくくなり、シグナル・インテグリティ (信号品質) が向上します。

本製品は、テキサス・インスツルメンツの高度なサブミクロン・シリコンゲート BiCMOS プロセスで製造されています。LMV321-N/LMV358-N/LMV324-N の入出力段はバイポーラ構成になっており、ノイズ性能の改善とともに、出力電流駆動能力が強化されています。