JAJSJ72C June   2020  – February 2021 LMX2820

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成と機能
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  基準発振器入力
      2. 7.3.2  入力パス
        1. 7.3.2.1 入力パス・ダブラ (OSC_2X)
        2. 7.3.2.2 プリ R デバイダ (PLL_R_PRE)
        3. 7.3.2.3 プログラマブル入力マルチプライヤ (MULT)
        4. 7.3.2.4 R デバイダ (PLL_R)
      3. 7.3.3  PLL 位相検出器とチャージ・ポンプ
      4. 7.3.4  N デバイダとフラクショナル回路
        1. 7.3.4.1 整数 N 分周部 (PLL_N)
        2. 7.3.4.2 分数 N 分周部 (PLL_NUM および PLL_DEN)
        3. 7.3.4.3 変調器の次数 (MASH_ORDER)
      5. 7.3.5  LD ピンのロック検出
      6. 7.3.6  MUXOUT ピンと読み戻し
      7. 7.3.7  内部 VCO
        1. 7.3.7.1 VCO のキャリブレーション
          1. 7.3.7.1.1 VCO のゲインおよび範囲の決定
      8. 7.3.8  チャネル・デバイダ
      9. 7.3.9  出力周波数ダブラ
      10. 7.3.10 出力バッファ
      11. 7.3.11 パワーダウン・モード
      12. 7.3.12 複数デバイスでの位相同期
        1. 7.3.12.1 同期のカテゴリ
        2. 7.3.12.2 位相調整
          1. 7.3.12.2.1 MASH_SEED を使った位相シフト
          2. 7.3.12.2.2 静的と動的な位相調整の比較
          3. 7.3.12.2.3 位相調整への微調整
      13. 7.3.13 SYSREF
      14. 7.3.14 高速 VCO キャリブレーション
      15. 7.3.15 ダブル・バッファリング (シャドウ・レジスタ)
      16. 7.3.16 出力ミュート・ピンとピンポン手法
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 外部 VCO モード
      2. 7.4.2 外部フィードバック入力ピン
        1. 7.4.2.1 PFDIN の外部フィードバック・モード
        2. 7.4.2.2 RFIN 外部フィードバック・モード
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 未使用ピンの処理
      2. 8.1.2 外部ループ・フィルタ
      3. 8.1.3 インスタント・キャリブレーションの使用
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 初期化およびパワーオン・シーケンス
  9. 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

熱に関する情報

熱評価基準 (1) LMX2820 単位
RTC (VQFN)
48 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 21.5 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 9.5 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 6.0 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 0.1 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への熱特性パラメータ 5.9 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 0.6 ℃/W
従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。