JAJSNB3A September   2023  – July 2024 LP5813

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 同期整流昇圧コンバータ
        1. 6.3.1.1 低電圧誤動作防止
        2. 6.3.1.2 イネーブルとソフト・スタート
        3. 6.3.1.3 スイッチング周波数
        4. 6.3.1.4 電流制限動作
        5. 6.3.1.5 昇圧 PWM モード
        6. 6.3.1.6 昇圧 PFM モード
        7. 6.3.1.7 パススルー モード
      2. 6.3.2 タイム クロス マルチプレクシング (TCM) 方式
        1. 6.3.2.1 直接駆動モード
        2. 6.3.2.2 TCM 駆動モード
        3. 6.3.2.3 混在駆動モード
        4. 6.3.2.4 ゴースト除去
      3. 6.3.3 アナログ調光
      4. 6.3.4 PWM調光
      5. 6.3.5 自律型アニメーション エンジン制御
        1. 6.3.5.1 アニメーション エンジン パターン
        2. 6.3.5.2 スロープ制御
        3. 6.3.5.3 アニメーション エンジン ユニット (AEU)
        4. 6.3.5.4 アニメーション ポーズ ユニット (APU)
      6. 6.3.6 保護および診断
        1. 6.3.6.1 過電圧保護
        2. 6.3.6.2 グランドへの出力短絡保護
        3. 6.3.6.3 LED 開放検出
        4. 6.3.6.4 LED 短絡検出
        5. 6.3.6.5 サーマル・シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
    5. 6.5 プログラミング
  8. 7 レジスタ マップ表
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 アプリケーション
      2. 8.2.2 設計パラメータ
      3. 8.2.3 詳細な設計手順
        1. 8.2.3.1 インダクタの選択
        2. 8.2.3.2 出力コンデンサの選択
        3. 8.2.3.3 入力コンデンサの選択
        4. 8.2.3.4 プログラム手順
        5. 8.2.3.5 プログラミング例
      4. 8.2.4 アプリケーション特性の波形
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) LP5810/2 LP5811/3 単位
YBH (DSBGA) DSD (WSON) YBH (DSBGA) DRR (WSON)
9 ピン 8 ピン 12 ピン 12 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 113.1 50.8 92.1 47.5 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 0.6 51.1 0.4 45.1 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 33.9 22.9 25.9 20.9 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 0.2 1.1 0.2 0.7 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 33.8 22.8 25.8 20.9 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし 8.5 該当なし 6.6 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。