JAJSJC3A May   2021  – November 2021 LP5860

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 タイミング要件
    7. 7.7 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 時分割多重マトリクス
      2. 8.3.2 アナログ調光法 (電流ゲイン制御)
      3. 8.3.3 PWM調光
      4. 8.3.4 オン / オフ制御
      5. 8.3.5 データ リフレッシュ モード
      6. 8.3.6 全アドレスを指定可能な SRAM
      7. 8.3.7 保護および診断
    4. 8.4 デバイスの機能モード
    5. 8.5 プログラミング
    6. 8.6 レジスタ マップ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 アプリケーション
      2. 9.2.2 設計要件
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
      4. 9.2.4 プログラム手順
      5. 9.2.5 アプリケーション特性の波形
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 用語集
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RKP|40
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.7 代表的特性

特に記述のない限り、代表的特性は全周囲温度範囲 (LP5860MRKPR、LP5864MRSMR、LP5866MDBTR の場合は -55℃ < TA < +125℃、その他のデバイスの場合は -40℃ < TA < +85℃)、VCC = 3.3V、VIO = 3.3V、VLED = 5V、ILED_Peak = 50mA、CVLED = 1μF、CVCC = 1μF。

LP5860 VCC UVLO の立ち上がりおよび立ち下がりスレッショルド
図 7-1 VCC UVLO の立ち上がりおよび立ち下がりスレッショルド
LP5860 VSAT と温度との関係
図 7-3 VSAT と温度との関係
LP5860 VSAT と電流シンクとの関係 (30mA)
図 7-5 VSAT と電流シンクとの関係 (30mA)
LP5860 電流シンク電圧と電流との関係
TA = 25℃
図 7-7 電流シンク電圧と電流との関係
LP5860 VCC UVLO のヒステリシス
図 7-2 VCC UVLO のヒステリシス
LP5860 VSAT と電流シンクとの関係 (50mA)
図 7-4 VSAT と電流シンクとの関係 (50mA)
LP5860 VSAT と電流シンクとの関係 (10mA)
図 7-6 VSAT と電流シンクとの関係 (10mA)
LP5860 ハイサイド スイッチの RDSON
図 7-8 ハイサイド スイッチの RDSON