JAJSQJ4A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 製品比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR および BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ・メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム・フェーズ・ロック・ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ・マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C のタイミング図
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C フィルタ
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI のタイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  パワー・マネージメント・ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 タイマ (TIMx)
    23. 8.23 デバイスのアナログ接続
    24. 8.24 入力 / 出力の回路図
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 ブート・ストラップ・ローダ (BSL)
    27. 8.27 デバイス・ファクトリ定数
    28. 8.28 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 12改訂履歴

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

10.2 デバイス命名規則

製品開発サイクルの段階を示すために、テキサス・インスツルメンツは MSP MCU デバイスとサポート・ツールのすべての型番に接頭辞を割り当てています。。MSP MCU 商用ファミリの各番号には、MSP、X のいずれかの接頭辞があります。これらの接頭辞は、エンジニアリング・プロトタイプ (X) から、完全に認定済みの量産版デバイス (MSP) まで、製品開発の段階を表しています。

X – 実験的デバイスであり、最終デバイスの電気的特性を必ずしも表しません。

MSP – 完全に認定済みの量産版デバイスです。

X デバイスは、次の免責事項付きで出荷されます。

「開発中の製品は、社内での評価用です」。MSP デバイスの特性は完全に明確化されており、デバイスの品質と信頼性が十分に示されています。テキサス・インスツルメンツの標準保証が適用されます。プロトタイプ・デバイス (X) は、標準的な製品版デバイスに比べて故障率が大きいと予測されます。これらのデバイスは、予測される最終使用時の故障率が未定義であるため、テキサス・インスツルメンツはそれらのデバイスを量産システムで使用しないよう推奨しています。認定済みの量産デバイスのみを使用する必要があります。

テキサス・インスツルメンツのデバイスの命名規則には、デバイス・ファミリ名の接尾辞も含まれます。この接尾辞は、温度範囲、パッケージ・タイプ、配布形式を示しています。デバイス名の各部の読み方を、図 10-1に示します。

GUID-20211012-SS0I-TW7X-8BCZ-ML9JS21HCZB8-low.svg 図 10-1 デバイス命名規則
表 10-1 デバイス命名規則
プロセッサ・ファミリ

MSP = ミックスド・シグナル・プロセッサ

X = 検証用半導体
MCU プラットフォーム M0 = Arm ベース 32 ビット M0+
製品ファミリ G = 80MHz の周波数
デバイス・サブファミリ 110 = 2x ADC
フラッシュ・メモリ

5 = 32KB

6 = 64KB

7 = 128KB
温度範囲

T = -40℃～105℃
パッケージ・タイプ 「デバイス比較」 セクションおよび https://www.ti.com/packaging を参照してください
配布形式

T = 小型リール

R = 大型リール

マーキングなし = チューブまたはトレイ

各種パッケージ・タイプの MSP デバイスの注文可能な部品番号については、このデータシートの末尾にあるパッケージ注文情報または ti.com を参照するか、テキサス・インスツルメンツの販売代理店にお問い合わせください。