JAJSQJ4A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 製品比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN / SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP / STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR および BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ・メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 システム・フェーズ・ロック・ループ (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低周波数クリスタル / クロック
      5. 7.9.5 高周波数クリスタル / クロック
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ・マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C のタイミング図
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C フィルタ
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI のタイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  パワー・マネージメント・ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 タイマ (TIMx)
    23. 8.23 デバイスのアナログ接続
    24. 8.24 入力 / 出力の回路図
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 ブート・ストラップ・ローダ (BSL)
    27. 8.27 デバイス・ファクトリ定数
    28. 8.28 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 入門と次のステップ
    2. 10.2 デバイス命名規則
    3. 10.3 ツールとソフトウェア
    4. 10.4 ドキュメントのサポート
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 12改訂履歴

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.15.1 電気的特性

電源電圧が推奨範囲内で、自由気流の動作温度範囲内のとき (特に記述のない限り)。
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
VCM 同相電圧範囲 RRI = 0x0 -0.1 VDD-1 V
RRI = 0x1 1 VDD-0.2
RRI = 0x2 -0.1 VDD-0.2
Iq 静止電流 (オペアンプ 1 個あたり) IO= 0mA、RRI = 0x0 97 µA
IO= 0mA、RRI = 0x1 または 0x2 93
GBW ゲイン帯域幅積 CL = 200pF 0.32 MHz
VOS 入力オフセット電圧 非反転、ユニティ・ゲイン、TA = 25℃、VDD = 3.3V CHOP = 0x0 ±0.2 ±6.5 mV
CHOP = 0x1 ±0.08 ±0.4
dVOS/dT 入力オフセット電圧の温度ドリフト 非反転、ユニティ・ゲイン CHOP = 0x0 7.7 μV/℃
CHOP = 0x1 0.34
Ibias SoC の多重化された I/O ピンの入力バイアス 0.1V<Vin<(VDD-0.3V)、VDD=3.3V、CHOP=0x0 TA = 25℃ ±40 pA
TA = 125℃ ±4000
0.1V<Vin<(VDD-0.3V)、VDD=3.3V、CHOP=0x1  TA = 25℃ ±200
TA = 125℃ ±4000
CMRRDC 同相除去比、DC 同相電圧範囲の全範囲 CHOP = 0x0 48 77 dB
CHOP = 0x1 56 105
en 入力電圧ノイズ密度 非反転、ユニティ・ゲイン f = 1kHz 43 nV/√Hz
en f = 10kHz 19
Rin 入力抵抗(1) 0.65 kΩ
Cin 入力容量 同相 4 pF
差動 2
AOL 開ループ電圧ゲイン、DC RL = 350kΩ、0.3 < Vo < (VDD-0.3) 82 90 107 dB
PM 位相マージン CL = 200pF、RL= 350kΩ 69 70 72 度
SR スルーレート 非反転、ユニティ・ゲイン、CL = 40pF 0.32 V/µs
THDN 全高調波歪 + ノイズ 0.012 %
ILoad 出力負荷電流 ±10 µA
CLoad 出力負荷容量 200 pF
(1) ここでの Rin は、GPAMP 内のマルチプレクサの入力抵抗を意味します。